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二、毕业设计（论文）工作实施计划
（一）毕业设计（论文）的理论分析与软硬件要求及其应达到的水平与结果
理论分析：
ISFET 的结构就是将普通的MOSFET的金属铝栅去掉，让绝缘体氧化层直接和试液接触，或者是将栅极用铂膜作出引线，并且在此膜上覆盖一层离子敏感膜，这个离子敏感膜可以是固态膜，也可以是液膜，敏感膜与P型基体之间的绝缘层可能是Si3N4或者SiO2。由于敏感膜和试液的接触，所以在ISFET工作时需要通过试液中的参比电极施加栅极电压UG。它的源极和漏极的用法和电路与一般的MOSFET没什么区别。
MOSFET是利用金属栅上所加的电压的大小来达到控制漏源电流的作用；而ISFET则是利用它对试液中的离子具有选择性的作用来改变栅极电压，从而达到控制漏源电流变化的作用。
当把ISFET传感器插入试液中时，试液和敏感膜接触的地方就会产生一定的界面电压，它的大小主要取决于试液被测离子的活度，这个界面电压的大小将会直接影响VT的大小。在化学计量中，电解质溶液中某种离子的活度通常用αi来表示，假如试液中被测离子的活度为αi，而在试液中干扰离子影响极小的情况下，阈值电压就可以表示为： ISFET的pH传感器设计开题报告(2):http://www.youerw.com/kaiti/lunwen_40031.html