一、课题的任务内容：本课题主要研究金属单晶的生长，采用坩埚下降法生长出金属单晶。对金属晶体进行抛光打磨等加工，腐蚀后观察晶体缺陷，并进行导热导电性能的测试，与普通多晶铜进行对比，找到其特性。24723
二、原始条件及数据：
验室前期工作已采用坩埚下降法生长了高质量的单晶铜，具备晶体生长的技术和条件。
三、设计的技术要求（论文网的研究要求）：
1. 要求掌握坩埚下降法生长金属单晶；
2. 要求掌握X射线定向仪对晶面进行定向的基本操作；
3. 要求掌握晶体的表面腐蚀和金相显微镜对金相的观察。
四、毕业设计（论文）应完成的具体工作：
1. 采用坩埚下降法生长出铜单晶；
2. 对生长的铜单晶进行电火花线切割；
3. 对生长的铜单晶进行冷加工制样，并对加工晶面进行定向分析；
4. 对制备的样品进行表面腐蚀和金相显微镜观察分析。
软硬件名称、内容及主要的技术指标（可按以下类型选择）：
计算机软件
图 纸
电 路 板
机 电 装 置
新材料制剂
结 构 模 型
其 他
五、查阅文献要求及主要的参考文献：
[1] 冯德伸,李楠,苏小平.4英寸低位错锗单晶生长[J].稀有金属,2008,32(1):34.
[2] 刘春香,杨洪星,吕菲,等.锗晶片化学机械抛光的条件分析 [J].中国电子科学研究院学报,2008,3(1):101.
[3] 张忠卫,陆剑峰,池卫英,砷化镓太阳电池技术的进展与前景[J].上海航天,2003，(3):33.
[4] 杨树人,王宗昌，王兢，半导体材料［M］,北京：科学出版社，2004.
[5] Kaplunov I A , Smimov Yu M ,Kolesnikov A L Optical transparency of crystalline germanium[J].Opt Techn,2005, 72(2):214.
[6] Depuydt Ben,Theuwis Antoon,Romandic Igor.Germanium:From the first applicaton of czo- chralski crystal growth to large diameter dislocation-free wafers[J]. Mater Sei Semicond Proc,2006,9:437.
[7] 杨德仁.太阳电池材料[M].北京:化学工业出版社,2006.
[8] CourtoisP,HamelinB, AndersenHK.Production of Copper and Heusler Aloy Cu2MnAl Mosa- ic Single Crystals for Neutron Monochromators[J] . Nuclear Instruments and Methodsin Ph- ysics ResearchA, 2004, 529:157-161.
[9] Ohno A. ontinuous Casting of SingleCrystal Ingots by the O.C.C Pmcess[ J], Journals of Metals, 1986, 38(l): 14-16.
[10] Ohno, Atsumi. Magnesium ingot by Ohno continuous casting process[J]. Chiba Light Metal Age,1988,46(5-6):6-7.
[11] 黎沃光. 热型连续铸造法的原理及应用[J]. 铸造, 1996, 45(12):39-44.
[12] 许士阳,业余球,黎沃光.热型连铸在近终形制造中的应用及比较优势[J]. 广东工业大学报,2003,20(4):22-23.
[13] 岳留振,倪锋,张永振,等.热型连铸技术的发展应用[J]. 铸造设备研究, 2004, 26(1):14-18.
[14] 邹 蒙,范志达,李 楠,徐 川,黄朝恩, 坩埚下降法生长白宝石晶体的研究.
[15] Zheng R G.[J].Mater Sci Engtl998-97:487.
[16] 严文,王雪艳,陈建,等.工业铜单晶线材铜单晶浸蚀蚀坑的研究[J].西安工业大学学报,2007,27(1):46-51.
YahW,WangxY,ChenJ,eta1.Study on the Etch Pits of Copper Single Crystal Wires[J].Journal of Xian Technological University, 2007, 27 (1):4631(in Chinese).
[17] slvinskii S V.Maslova L A.Rocking Curve Half-width Obtained by Means of a Double X-ray Crystal Spectrometer and Dislocation Density in Single Crystals[J].Material Science and Engineering,1977,30:147-153.
优尔、进度安排：（设计或论文各阶段的要求，时间安排）：
2月21日至3月08日 文献检索、撰写开题报告与完成外文翻译 坩锅下降法生长金属单晶任务书:http://www.youerw.com/renwushu/lunwen_18330.html