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PT4115的LE的驱动电路设计(4)

时间:2021-12-21 16:16来源:毕业论文
④ 反向击穿区。 , 就是所谓的反向击穿电压。与 对应的电流 就是反向漏电流。当反向偏压增加到 时, 将突然增加而出现击穿。因为使用的化合物材料

 ④ 反向击穿区。 , 就是所谓的反向击穿电压。与 对应的电流 就是反向漏电流。当反向偏压增加到 时, 将突然增加而出现击穿。因为使用的化合物材料不同,LED的 也不同。

2。 C-V特性

LED的芯片有9mil×9mil(228um×228um)、10mil×10mil(254um×254um)、11mil×11mil(280um×280um)、12mil×12mil(300um×300um)几种规格,故PN结面积大小不一,使其结电容(零偏压) pF。LED的C-V特性曲线呈二次函数关系

PT4115的LE的驱动电路设计(4):http://www.youerw.com/tongxin/lunwen_86821.html
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