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（1）简单氧化物，如Bi2O3[5]和WO3； （2）硫化物，如CdS[6]；（3）复杂氧化物，如Bi2WO6；（4）氮化物，如C3N4；（5）磷酸盐，如Ag3PO4以及以它们为基底构成的复合型光催化剂。虽然人们为制备此类材料付出了很多努力，并且也获得了多种对于可见光敏感的半导体材料，但是这些可见光响应型光催化剂仍然具有一些固有缺陷，例如：较窄的光学带隙虽然可以实现对于可见光的利用，但是却不利于光致电子和空穴的分离，且材料对于可见光的吸收率仍然存在限制。因此设法提高这些材料的光催化效率仍然是该领域面临的巨大挑战，目前多采用的方法为：
（1）材料新型结构的设计；（2）掺杂；（3）与其他金属和/或半导体复合；（4）与纳米碳材料复合。1.2 光催化反应的基本过程图 1.1 半导体光催化反应的基本过程[7] 为半导体光催化的基本反应过程[7]。 当入射光子的能量大于或等于半导体的禁带宽度 Eg时，价带上的电子就会被激发进入导带，即在导带上出现电子，在价带出现上空穴（过程Ⅰ）；然后光致空穴和电子即向半导体的表面或界面迁移，它们分别具有氧化性和还原性，故可与吸附在表面的粒子反应，从而完成光催化过程（过程Ⅲ、Ⅳ），此外，光致载流子也可被表面亚稳态能级捕获（过程Ⅴ、Ⅵ）。制约光反应效率的一个重要因素是光生电子和空穴的复合（过程Ⅱ），复合产生的能量以热能或光能的形式释放出来。因此为了使更多的光生载流子参与到光反应过程中，就需要将空穴-电子对快速地从半导体的表面和界面转移，尽可能地降低复合率。