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    1.2.2 常用的制备方法 (1)干法制备。常用的制备方法有溅射,离子镀,离子注入等。  溅射:将氩离子在电场下加速,从而获得足够的动能,然后使其轰击靶材,当氩离子的能量超过靶极原子的结合能(约为靶极材料的升华热)四倍时,原子被推出晶格位置,成为气相逸出晶体表面的过程叫做溅射。 当用溅射技术沉积镀膜时,溅射源位于靶极,若靶材为单质,则在衬底上生产单质薄膜,若要生成化合物薄膜,则可以在溅射室有意识地引入反应气体,使之与靶材物质发生化学反应而沉积在衬底上。


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