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放大是对模拟信号最基本的处理。在一般的工程应用中，往往接受到的信号十分微弱，一般在微伏量级，为了对信号进行进一步的处理，必须对这样的信号进行放大，使其能够有足够的能量带动下一级。晶体管作为放大器的核心元器件，一直是人们关注的重点，如何将任何微小的变化不失真的信号输出并放大是放大电路的最终目的。为了达到这个目的，工程师们在几十年里付出了不懈的努力，不断完善这一领域，使功率放大器这一技术已经相当的成熟。无论是器件的制造还是电路的设计，乃至于思想上都有了很大的进步。19107
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近年来，国内外不断从工艺、设计等方面进行改进，并采用微细加工技术，使MOS的性能得到很大的提高。这些性能，包括导通电阻的降低，高频的实现，高耐压的实现，雪崩容量的改善，提高抗静电能力等。在过去的近十年，大规模集成电路技术突飞猛进，很大程度上与晶体管的使用和发展有关系。
根据集成情况区别可以分为集成芯片放大器和晶体管分离元件放大器。利用芯片集成的放大器是将放大管管芯、输入输出匹配网络、偏置网络全部集成在一块砷化镓基片上,利用芯片设计放大器不需要再对输入输出匹配网络、偏置网络进行设计，避免了繁琐的设计过程，大大提高了设计效率,同时，用芯片设计的放大器具有可靠性高、重量轻、体积小、成本低等优点[4]。晶体管只是放大管芯加了封装，不包含偏置网络和匹配网络，利用晶体管分离元件设计放大器需要自己为晶体管设计偏置网络和匹配网络。利用晶体管分离元件设计的放大器的一个显著优点是能够输出较大的功率，但是体积一般比较大。
对于晶体管的材料，目前功率放大器所使用的材料有砷化镓(GaAs)、硅锗(SiGe)等，但随着无线通信的频段不断地提高，采用异质结双极晶体管(HBT)制程与砷化镓材料的半导体组件逐渐成为主流，砷化镓以其材料本质上的优势，在高频响应特性良好，噪声值低、效率高、增益值大、线性度佳，又可做成单片式微波集成电路功率放大器 (MMIC PA)等特性下，在无线通信领域的应用逐渐增加[5]。