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吴春华等[37]利用磁控溅射在石英玻璃基片上制备了锰酸锶镧薄膜La0.8Sr0.2MnO3，并进行退火处理。对薄膜样品的晶体结构和光谱反射率测量，得出薄膜样品在170K到室温范围内发射率有明显的改变。江少群等[38]也采用相似的方法，通过直流磁控溅射在Si(100)基底上沉积了La-Sr-Mn-O薄膜。研究了在不同的工艺参数下制备的薄膜材料、金属绝缘体相变温度和发射率特性，结果表明O2/(Ar+O2)体积分数比较小和低的薄膜沉积溅射压力时，薄膜的金属-绝缘体转变温度升高，并且薄膜材料的半球发射率变化量和随温度变化的发射率改变幅度都可以通过改变制备参数来实现。