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2 辐射探测器[ ][ ]
2.1 半导体型辐射探测器概述
半导体型辐射探测器是一大类以半导体材料（以Ge和Si最为常见）为辐射探测介质的由带电粒子辐射半导体层，使半导体介质受激产生空穴-电子载流子，而载流子在外电场的作用下发生定向移动进而产生电脉冲的一类辐射探测仪器。
面垒型半导体探测器同表面离子注入P-N结半导体探测器均是由掺有均匀杂质粒子（可以是半导体材料也可以视金属介质）的P型与N型半导体合在一起组成的探测器件，称P-N结型半导体探测器[ ]。
同气体探测器相比较，半导体探测器在获得同等数量的载流子所要消耗的能量比气体探测器平均低一个能量级，带电粒子在半导体材料中产生的电离密度又要高出2-3个数量级，且具有更高的能量分辨率。
2.1.1 面垒型辐射探测器的结构和原理
金硅面垒型探测器是面垒型半导体探测器的典型代表，它主要是由一个表面沉积了高纯度金的N型单晶硅片构成。
在运作时，利用金和硅之间的存在电势差的原理，一般将着金面作为阴极，而将镀有铝或者镍的一面作为阳极,连接外接电路供进一步处理分析。这种结构的电路有一定的整流作用。
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