1.1电化学电容器

Chang等人[1]报道在CdO电极里的电荷存储机制，是基于氧化和还原现象中阳离子嵌入和脱嵌的原理。下面给出的氧化还原反应取决于电解质中阳离子的呈现，并且在水溶液中，阳离子对伪电容处理的贡献是相当显著的。

CdO+dH(or any cation)++de- →de  CdO1-d¬（OH（or any cations））d

在电位窗测距从-0.4〜0.4 V中，一氧化镉电极在1M的KOH中的比电容（SC）是343 mF / g，是高于在KNO3（125 mF /g），Na2SO4（302 mF /g）和NaOH（337 mF /g）中的。在高于200℃和400℃的退火温度下，氧化镉电极的循环伏安曲线展示了极好的可逆性并揭示了氧化镉基体代替Cd（OH）2应用于电化学电容器的本质。由于内活性位点的存在，随着扫描速率的增加SC值在下降，这不能完全领先于氧化还原转换。SC值的最大值和最小值分别在10mV/s和200 mV/s下可获得，其值分别为350 mF / g和220 mF / g。CdO膜的电极在SC值没有任何急剧下降时能承受1000个循环以上，从而推断出CdO的电极材料是适合作为超级电容器来储存能量的。

Abrutis等[2]报道过多晶Cd2SnO4（CTO）膜的电容特性。电化学阻抗谱的半圆的半径在偏高的偏置电位下会下降。该Motte-chottky图揭示了差分电极电容对直到0.4V电势的线性依赖，斜率与电荷载流子浓度成反比,为6.72×108 F-1V-1cm2。平带电位被发现是0.2 V，比溶胶 - 凝胶衍生的CTO膜的更高。Cd2SnO4薄膜的电化学活性被检测是使用了两种氧化还原系统：六氰基铁/铁氰化物（FC）和藏红T（ST）。FC和ST的氧化还原系统的中点电位被发现分别是0.230 V和-0.495 V，在喷敷沉积的CTO电极中是相对较高的。

1.2 光致发光

Moholkar等报道了在室温下观察Ga掺杂CdO膜[3]的光致发光（PL）的绿色发光峰值出现在482 nm处，且其相对强度取决于沉积温度。氧空位是绿色发光的主导发光中心。Deokate等也报道了室温下PL发射光谱，从不掺杂到掺杂Ga氧化镉薄膜的最大强度出现在波长为325 nm处。随着沉积CdO膜的[Ga]/[Cd]值增大绿色PL发射强度（约470nm）也随之增大。绿色发射是由于各种缺陷的出现，同时也与自由电子的浓度相关。

1.3 气敏

Salunkhe和Lokhande[4]报道了SILAR沉积的CdO薄膜对液化石油气（LPG）的灵敏度。CdO传感器在425℃的工作温度下显示出最大灵敏度。在425℃下随着LPG浓度从0.04%上升到0.1%，灵敏度从7.89%上升至14.2％。浓度在0.08％以上时，灵敏度是稳定饱和的。

传感器灵敏度是随着膜厚度增加而增强的，1.5微米厚的氧化镉薄膜对应的灵敏度是最大的。0.43微米膜厚度的氧化镉的响应时间为20秒和恢复时间为30秒。薄膜在工作温度为425摄氏度时显示出最大的灵敏度，响应和恢复时间分别为70秒和80秒。通过喷雾热分解法制备的氧化镉薄膜在425℃的最佳温度下相比二氧化碳对液化石油氮气更具有灵敏选择性。随着LPG浓度从0.06vol.%增大到0.16 vol.% 灵敏度从15%增大到34.11%。在Pd致敏后275℃的最佳温度下灵敏度能增大到35％。Pd致敏氧化镉薄膜显现出相比CO2对LPG更具有选择性。

Kamble等[5]报道过通过化学浴沉积制备的纳米线和纳米壁结构的氧化镉薄膜的乙醇感应。在低温下，该传感器灵敏度受化学反应速率的限制，在较高的温度下，该传感器灵敏度受气体分子的扩散速率的限制。在48秒内纳米线CdO薄膜可以获得15.3%最大的灵敏度，然而在400℃19秒内纳米壁获得了23％的灵敏度。增强的灵敏度是由于高的孔隙率和纳米壁结构的氧化镉薄膜。

1.4 太阳能电池 

由于能源紧缺以及出于环境保护的需要，太阳能作为新型环保可持续能源之一正迫切需要得到有效利用。而氧化镉在可见光区域内良好的光电性质已成为太阳能电池不可或缺的组成部分，大大增加了电池的光电转化效率。同时氧化镉在光电二极管领域也存在潜在的应用价值。 透明导电氧化物薄膜的制备技术及性能研究(2):http://www.youerw.com/wuli/lunwen_65351.html