2 样品的制备方法和测试方法

2.1脉冲激光沉积法（PLD）

  本实验采用脉冲激光沉积法（PLD）沉积薄膜[4]。脉冲激光沉积(Pulsed Laser Deposition) 是一种用途广泛的薄膜沉积技术。脉冲激光能快速蒸发靶材，生成与靶材组成相同的薄膜。PLD 的独特之处是能量源（脉冲激光）位于真空室的外面。这样，在材料合成时，工作压力的动态范围很宽。通过控制镀膜压力和温度，可以合成一系列具有独特功能的纳米结构和纳米颗粒。除此之外，PLD 是一种“数字”技术，在纳米尺度上进行工艺控制。

 激光器与脉冲沉积器

   底片是取磷掺杂的n-Si基片，其电阻率为8-13Ω.cm。在该基片的一片区域（基片的一端的上表面），采用脉冲激光沉积方法制备a-C:Co膜是使用纯度为99.99%的石墨和99.9%的金属Co为靶源，金属Co片贴在石墨靶上，操作中，通过靶和样件基片自转实现均匀掺杂，Co掺杂量约10 %，激光能量320毫焦/脉冲，腔体真空度1×10-4mBar，基片温度400℃，靶与基片距离5cm，镀膜后自然降温到室温，膜厚约为25nm。然后再采用真空热蒸发方法，通过掩膜板的控制，对所制备的a-C:Co膜上及n-Si基片上表面另一片区域蒸镀金层。蒸镀金层时，将一小段约50毫克、纯度为99.9%的金放入真空腔内的钨片上，腔内抽至背底真空10-6mBar，通过电流升温将钨片加热，使金蒸发到a-C：Co膜表面及衬底n-Si基片上表面两个限定区域，直至两个金镀层厚度均约为100nm。即制作完成本发明的光伏器件。来!自-优.尔,论:文+网www.youerw.com

具体操作步骤：

   先打开阀门放气，然后打开门放入样品（硅片）。关闭放气阀门。打开机械泵，声音正常后慢慢开启机械阀门，待声音正常后全部打开阀门，接着开启热偶示数表，等待气压降到0左右。开启水循环机，关掉机械泵阀门，打开前级阀。然后打开分子泵开关（切记在分子泵开启之前一定要打开水循环机，否则机器就有可能损毁），过几分钟等待转速达到稳定状态（27000r/min），打开分子泵阀门，打开电离开关，等到气压达到十的负五次方。打开靶自转，然后升高温度至所需实验要求的度数。

   打开脉冲激光器[5]，预热大概七分钟，调试激光输出频率大概在400mJ左右，然后让激光打靶30min，打完后按照前面实验操作相反的顺序关闭所有开关，等待内部温度冷却至室温，然后拿出样品即可。