毕业论文

打赏
当前位置: 毕业论文 > 物理论文 >

PN结射频磁控溅射硅材料为衬底PN结的制备

时间:2021-09-14 21:42来源:毕业论文
一般生产PN结有合金法、扩散法、离子注入法、外延生长法等。本文以硅材料为衬底,利用射频磁控溅射的方法在衬底上生长一层氮化硼薄膜形成一个PN结以此来对射频磁控溅射方法制备

摘要在太阳能电池的生产环节中制备PN结是尤为重要的一道工序,PN结的好坏直接影响了太阳能电池的效率。一般生产PN结有合金法、扩散法、离子注入法、外延生长法等。本文以硅材料为衬底,利用射频磁控溅射的方法在衬底上生长一层氮化硼薄膜形成一个PN结以此来对射频磁控溅射方法制备PN结的过程有一个较为深入的了解。Abstract P-N junction is a very important step in the production process of solar cell, and it has a directly impact on the efficiency of solar cell。 The general production of P-N nodes are alloy method, diffusion method, ion implantation method, epitaxial growth method, etc。。 The on silicon substrates using RF magnetron sputtering method on the substrate growth a layer of boron nitride film forming a P-N junction in order to have a more in-depth understanding of the P-N junction in the process of preparation of RF magnetron sputtering。71971

毕业论文关键词: PN结; 射频磁控溅射; 氮化硼; 薄膜

Keywords:  P-N junction;  RF magnetron sputtering;  boron nitride;  thin film

目  录

第一章 引  言 2

第二章 理论知识 3

1.PN结。 3

1.1 PN结的发展史 3

1.2 PN结原理 3

1.3 PN结的类型 4

2.氮化硼 4

2.1氮化硼的四种异构体 4

2.2氮化硼的性质与应用 5

3.射频磁控溅射法 6

3.1射频磁控溅射技术的发展 6

3.2射频磁控溅射技术原理 6

第三章 实验过程 8

1.磁控溅射系统 8

2.实验材料准备 9

3.操作过程 9

4.制备BN薄膜的工艺参数 11

第四章 实验样品处理与结果 12

1.样品表征 12

1。1.表征手段 12

1。2.FTIR原理 12

2.实验结果 12

第五章 总结 14

参考文献 15

第一章 引  言

自从进入21世纪,环境、人口、资源问题日益激化,如何在保护环境的前提下获得满足日益增长的人口所需的资源问题已经成为了全球热门话题。这里的资源的问题不仅仅是一些常规资源问题,更多的还是石油资源的开发与利用的问题。总所周知石油化石能源利用有三大问题:

1.能源短缺:石油化石能源作为不可再生能源,在当今可持续发展战略的角度来看,目前已探知的石油只能用到2020年即使使用了天然气也只能到2040年就算加上煤炭那也维持不了人类的延续,所以如果找不到绿色可再生的资源代替,人类未来堪忧。

2.温室效应:无论是石油天然气还是煤炭,燃烧都会产生大量的二氧化碳气体 从而引起温室效应,全球气温变暖。现如今天气的不稳定和一些地方的异常天气已经是大自然对人类的警告。尽管现在各国的CO2排放量已经严格控制,但温室效应还是有不断加深的趋势。 PN结射频磁控溅射硅材料为衬底PN结的制备:http://www.youerw.com/wuli/lunwen_81769.html

------分隔线----------------------------
推荐内容