摘 要：近几十年来，薄膜材料和薄膜技术迅速发展起来。各种新型薄膜材料、薄膜生产和微加工技术的创新，在高新技术应用中的各种薄膜也越来越受欢迎。薄膜技术与薄膜材料一直是人们关注的问题，主要是基于薄膜和薄膜技术是实现薄、薄设备和系统集成的有效手 段。磁控溅射技术在薄膜制备领域具有广泛的应用，不同的制备工艺和制备工艺对薄膜样品有重要的影响。利用磁控溅射技术制备金属薄膜的不同实验条件。
基于CDO的性能优化的透明导电薄膜的制备进行了综述，并对CDO薄膜的光电性能和当前的研究热点进行了讨论。指出采用材料选择、工艺参数设置和多层光整定方法，可以提高透明导电薄膜的综合性能。随着金属元素的添加，以提高性能的方法，如加入：Zn、In等。适当的改进，以满足高技术的需要。 73152
毕业论文关键词：磁控溅射；薄膜材料；光电性能
Abstract：In recent decades, thin film materials and thin film technology have developed rapidly。 A variety of new types of film materials, film production and micro processing technology innovation are also more popular。 Thin film technology and thin film materials have been concerned。 mainly based on thin film and thin film technology is an effective means to achieve thin and thin devices and systems integration。 Magnetron sputtering technology has a wide range of applications in the field of film preparation, different preparation technology and manufacturing technology have important influence on the film samples。 Using magnetron sputtering technology to explore different experimental conditions for the preparation of metal thin films。 The preparation and performance optimization of Cdo based transparent conductive thin films are reviewed, and the optoelectronic properties of Cdo films and the current research focus are discussed。 It is pointed out that the comprehensive properties of transparent conductive films can be improved by the methods of material selection, process parameter setting and multilayer optical setting。 With the addition of metal elements to improve the performance of the method, such as adding: Zn, In, etc。。 Appropriate improvements to meet the needs of high technology。
Keywords：Magnetron sputtering technology; thin film material; optoelectronic properties
目 录
1 引言4
1。1 透明导电膜的性能 4
1。2制备透明导电薄膜的方法4
2 透明导电膜的性能5
2。1 导电薄膜的结构5
2。2 ITO薄膜的电学性质 5
2。3 ITO薄膜的光学性质 6
3 透明导电膜的种类6
4 TCO薄膜制备工艺的进展6
4。1 衬底材料6
4。2 物理汽相沉积（PVD）7
4。3 化学汽相沉积（CVD）法7
4。4 溶胶-凝胶（Sol-Gel）法8
5 透明导电薄膜的研究现状及应用8
5。1 透明导电薄膜的研究现状8
5。2 透明导电薄膜的产业化应用10
结论 11
参考文献12
致谢 13
1 引言
1。1 透明导电薄膜的种类
有许多种类的透明导电薄膜，但薄膜是显性的（例如，ITO和AZO薄膜）。铟锡氧化物（ITO（氧化铟锡简称ITO）薄膜、铝氧化锌（Al掺杂ZnO（AZO）薄膜的重掺杂的n型半导体。就电和光学特性而言，它是一种具有实际应用价值的透明导电膜。金属氧化物透明导电薄膜（TCO：透明导电氧化物的缩写）的研究相对较早，bakdeker 1907第一次报道透明导电CdO薄膜的研究。自那时以来，人们对透明导电膜有浓厚的兴趣，因为从物理学的角度，透明导电薄膜的透明度和导电性的矛盾，双方在一起。高硬度和化学稳定性优异的综合光电性能SnO2和In2O3薄膜出现1950年左右，并从透明导电薄膜材料的最早应用制备SnO2薄膜（品牌名称）。ZnO基薄膜开始于上世纪80年代研究的热点。TCO薄膜是多晶和纳米晶的晶粒尺寸上。晶粒取向单一，有许多研究在ITO和FTO（sn2o：F）上。1985、有ojiosizo Miyata首次通过气相聚合方法合成导电聚吡咯的PVA复合膜，从而创造一个光电导电聚合物，更重要的是使他们从传统的无机材料，有机材料的发展更好的加工性能的透明导电膜。 论文网 CdO基透明导电薄膜制备及其性能优化:http://www.youerw.com/wuli/lunwen_83309.html