对于高硅铝合金材料的研究首先是欧盟先启动的，研究高硅铝合金的新型制备工艺，最终Osprey公司采用喷射成型技术研制出了CE系列的高硅铝基电子封装材料、再配合后续的加工，首次开创了的硅铝合金的喷射成型新型工艺的出现。近年来，我国对于高硅铝合金电子封装材料也做了大量的研究。86466

中南大学的Kun Yun等人研究了用与电子封装的喷射成型Al-70Si合金的制备和性能的研究，并对比了和传统铸造而成的合金中晶粒的区别，发现喷射成型的合金不仅拥有更细小均匀的晶粒和硅颗粒，而且孔隙率也明显低于传统铸造而成的高硅铝合金[1]；

哈尔滨工业大学的于雷研究了喷射成型的Al-50Si用于电子封装的合金的致密化和性能，发现经过热等静压工艺后能得到更为细小的组织和硅颗粒，其中硅颗粒能弥散的分布在塑性的铝基体中；

合肥工业大学的刘进伟、徐道荣等人对硅铝合金的焊接方法做了相应的总结，并列出了硅铝合金焊接的缺陷问题，并肯定了硅铝合金在未来的重要作用；论文网

Chen等人研究了合金中硅相的大小对合金性能的影响，并且提出了随着硅相的增大其中热膨胀系数会增大，也提出了硅相的分布也会对其大小产生影响。 

同济大学的廖文俊、祁红等人也对喷射成型的高硅铝合金在导电方面的性能做了相应的研究，我们知道硅铝合金的导电性能较为优异，在这个基础上若加入某些稀土元素还能提高其导电性能，同时他也对硅铝合金的未来前景做了描述，有网在未来的电网中起到一定作用。

  国内对高硅铝合金电子封装材料的研究已经取得了一定阶段性的成果，不过在以下几个方面还需要改进（1）进一步优化和改进传统制备技术的工艺参数，提高综合性能，简化工艺流程，降低成本；（2）系统分析制备过程中各种因素对合金热物理性能的影响，建立相应的理论基础，提出改变材料热物理性能的有效方法；（3）充分利用材料的优异性能，扩大使用领域，实现大规模生产