拉曼光谱对于硅结构表征的分析被认作为一项功能强大的技术。众所周知，非晶硅（a-Si:H）的拉曼光谱特点是四条带，其中最激烈的光谱是位于480 cm-1 的TO模式。其他条带大概位于380 cm-1  [纵向光学（LO）]、310 cm-1 [纵向声学（LA）]和150 cm-1 [横向声学（TA）]。对于单晶硅（c-Si），拉曼峰是尖锐并且接近于波段在520 cm-1洛仑兹带中心以及大概位于3 cm-1的全宽半峰（FWHM）。对于纳米晶体和纳米硅，晶体的拉曼峰具有频率降挡和由声子约束效应引起的峰展宽。拉曼峰也可以修改，通过在薄膜存在的应变（或压力）和/或通过对简单物品的加热，这是由于在拉曼实验中激光照射会造成硅的障碍晶格。事实上，拉曼光谱是一种有效的探针，对于当地的原子排列非常敏感。33072
对当地的样品加热的硅拉曼效应分析了硅峰为单晶硅。然而，很少有关于这种纳米晶体硅或纳米硅影响的有用的信息。论文网最近的一份报告显示，温度的影响可以用面膜带状修饰的小晶粒尺寸引起的，它可以对相应的拉曼光谱导致严重的误解。在目前的工作中对氢化纳米硅的拉曼光谱分析已经完成，此外为了明确区分俩者之间的影响，通过拉曼光谱分析计算当地的温度和晶粒尺寸，这是拉曼光谱特征变化的真正的原因。 拉曼光谱国内外研究现状和发展趋势:http://www.youerw.com/yanjiu/lunwen_29938.html