过去，大家运用反向击穿的齐纳二极管可以产生基准电压，通过将齐纳二极管和正向偏置的二极管串联，当反向电压高于时，齐纳二极管发生雪崩击穿，具备正温度系数，而正向偏置的二极管具有负温度系数，通过两者的叠加得到了零温度系数的输出。但是，由于齐纳二极管不可以与CMOS工艺兼容，而且这种基准电压源的静态电流较大，长期稳定性差并且精度不是很高，所以目前已经很少使用了。带隙基准电压源构造简便、性能高和功耗低等许多优势，让它变成主流的基准源。45923
随着带隙基准的进步，它的性能也不断地提升。这几年，国内外重点从以下几个角度对高性能的带隙基准源进行研究：
第一种是低温度系数带隙基准，环境温度的改变会对带隙基准源性能参数造成较严重的影响，因为较大的温度系数可以使得电路输出浮动大，而浮动的带隙基准源输出又会使得电源管理芯片的稳定性不好，这对于那种要求精度比较严格的电路会表现地特别突出。所以我们通常都会通过引入高阶温度补偿来减小温度系数。
第二种是低压低功耗带隙基准，这几年，便携式的电子产品快速发展，它们得到了许多购买者的喜爱论文网，因此这些商品的市场也在不断地扩大。无论是从节能方面来说，还是从工艺的发展前景来说，低功耗的带隙基准都将成为未来必定的前进趋向。因为工艺中的线宽按比例缩小这个理论的持续发展，使得器件尺寸正在持续减小，于是就提高了器件的工作效率，解决了电路工作速率低的这个问题，与双极型工艺技术比较，它有了更大的好处。近几年来，IC规模持续扩张，高集成度的系统级芯片设计飞速进步，这种进步得到了业内的许多关注。由此可见，设计性能好的带隙基准源将是一种未来发展的必然趋向。
第三种是低电源抑制比带隙基准，电源电压生成的噪声会带动电路的一些性能参数的变化，随着射频IC以及数模混合电路的不断进步，高频噪声以及数字电路生成的噪声一定程度地影响着电路系统的稳定性，因此，扩大带隙基准源的PSRR对增强系统的稳定性起着重要作用。 带隙基准源国内外研究现状综述:http://www.youerw.com/yanjiu/lunwen_47543.html