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爆炸箔起爆系统研究现状

时间:2021-03-02 19:54来源:毕业论文
由于冲击片雷管的引爆需要高压和高起爆能量,且具有两个独立单元,所以,20世纪90年代以来,EFIs逐步向着微型化、集成化和低能化方向发展。 美国KDI公司于2004年公布了其电子安全与
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由于冲击片雷管的引爆需要高压和高起爆能量,且具有两个独立单元,所以,20世纪90年代以来,EFIs逐步向着微型化、集成化和低能化方向发展。

美国KDI公司于2004年公布了其电子安全与接触保险装置系列产品,其第三代产品中采用微电子安全与解除保险装置系列产品,其第三代产品中采用微电子技术将高压电容、半导体开关、爆炸桥箔等集成在一个固态器件上,整个装置起爆电压姜维1250 V,起爆能量大为降低。美国e2v公司2007年公布的直列式起爆系统模块中采用陶瓷贴片电容、三电极触发开关,整个模块体积得到减小,发火能量降到0.45 J。G..Scholtes和W.Prinse在2007年和2008年公布的微芯片式EFIs将脉冲功率单元和爆炸箔起爆单元集成在同一芯片上,EFIs体积下降到8 cm³,整个模块的发火能量小于0.05 J。从当前的趋势看,美国致力于EFIs性能的提高和应用推广,使大部分武器系统使用EFIs,以期提高武器系统起爆的安全性、可靠性、智能化以及设计的简单化。63836

20世纪70年代后期以来,中国工程物理研究院、中国兵器工业第213研究所和北京理工大学等单位对EFIs的研究取得了一定成果。近几年微加工工艺和低温共烧陶瓷(Low Temperature Co-Fired Ceramic,LTCC)工艺发展以及新型材料的应用,使得国内EFIs研究中,相关元器件加工水平显著提高,EFIs单元模块化集成设计得以实现,论文网系统体积和发火能量大幅度减小。图2-2 为微芯片爆炸箔起爆系统。

微芯片爆炸箔起爆系统

图2-2 微芯片爆炸箔起爆系统

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