20世纪初期，电子管振荡器开发成功，它通过改变振荡电路中电感器或电容器的参数值来调节信号频率。20世纪中叶，晶体管取代电子管成为振荡电路的有源器件，尤其是变容二极管的研究与应用推动了VCO的不断发展。20世纪80年代，VCO技术进入现代发展期，混合集成的VCO组件和单片集成的VCO IC出现了。随着新型无线应用领域的不断发展，20世纪80年代末、90年代初，人们开发出了带封装的VCO组件，并且其尺寸愈来愈小，成本也愈来愈低。20世纪90年代末，由高频双极晶体管IC技术和SiCMOS-IC技术研发而成的硅单片VCO IC迅速发展。进入21世纪，以Site HBT作有源器件的Site BiCMOS技术发展引起人们的高度关注，利用本技术制造的单片集成VCO拥有相位噪声低等众多优异性能[2]。68453

VCO设计技术正在不断深入发展。研究者们正在研发从前的分立VCO和模块VCO方法难以实现的新技术，如振幅控制、用于改善耦合的IC转换器、二次陷波、差分振荡器及多振荡器拓扑结构和可能在更高频率下工作的体系结构[3]。研究者们还对过去的一些数学模型（如Van der Pol等式、Leeson等式）进行了更加深入的研究，得出了新的解释振荡器工作规律(如调谐特性和相位噪声性能)的分析模型，如他们用Abidi关系改进了Leeson的噪声公式[3]。此外，随着计算机辅助工程(CAE)工具的功能和复杂程度的不断提高，人们可以更加便捷地对VCO功能模型进行试验，以改进其各方面的性能 [4]。论文网

将来，VCO组件和单片集成VCO仍将是VCO技术研发的重要领域，但研发重点将是全集成单片VCO技术。同时，VCO组件的发展方向将是越来越小型化、高频化、宽带化、高输出化和特性多样化。

参 考 文 献

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