高速数据存储的国内外发展概况国外针对大容量存储介质及存储技术研究起步比较早，技术成果较为成熟。存储介质最开始是磁盘，然后发展到光盘，现在比较普及的是固态存储器。固态存储器根据存储介质的不同分为flash、SRAM和DRAM。目前固态存储器的容量越来越大，存储速度越来越快，典型代表就是eMMC芯片。因为其各个方面的优越性能，越来越多的厂商致力于基于eMMC存储芯片的存储方式的开发，以期实现其最大的性能。下面介绍几种国外对于eMMC存储芯片的开发。82423

在德国纽伦堡举行的2016嵌入式世界展会上，慧荣科技公司（Silicon Motion Technology Corporation）向业界展示其针对汽车、工业和物联网应用的各种嵌入式存储，其中最引人注目的就是Ferri-eMMC，Ferri-eMMC是一款集成了NAND Flash和嵌入式微控制器的高效、小尺寸产品，符合JEDEC/eMMC v4。5与v5。0接口和协议规范。该解决方案是根据慧荣科技成熟的eMMC控制器技术而设计，具有先进的NAND管理、纠错、坏块管理和健康监测功能。正因有这些这些特性，Ferri-eMMC为业内带来了强大的数据完整性维护和数据保护功能。在当今的工业嵌入式应用市场，Ferri-eMMC可谓是最先进的存储解决方案。

    Marvell公司最近推出新的88NV1088 eMMC控制器，这是一款SSD级的eMMC控制器，主要针对快速增长的移动存储市场。可支持eMMC5。0协议的HS400工作模式，具有高数据传输速度和超高容量。88NV1088采用SSD级控制技术，可完全满足现代智能手机的需求。此外，Marvell的控制器还具备很高的性能，具备最高280MB/s的读取速度和超过5K的随机IOPS。这款价格具有竞争力的新eMMC控制器在支持更高容量的同时，还可提高数据传输速率，降低延迟和功耗。论文网

国内对eMMC控制器的研发比较落后。但是随着国内对大容量、高速数据存储需求的不断增加，一些公司通过创新还是在该领域取得了很大的进展。 

杭州华澜微科技有限公司发布内存大小为5TB储存芯片，其控制器采用新架构SSD控制器。这款芯片采用SATA-II接口，可以驱动10通道的eMMC闪存卡，每个通道的内存大小可达512GB。该公司为了解决快速提升的闪存速度和有限的总线速度之间的矛盾，通过把算法提到更高层的架构来解决。华澜微SSD主控是一种多核架构的设计，其中一个RISC处理器管理SATA总线，其余每个核管理两个闪存卡通道。这样就在增大内存容量的同时加快了存储的速度。

2 eMMC存储器的发展趋势

eMMC规格的标准现在发展到eMMC5。0/5。1。2013年7月29日三星开始量产行业首款eMMC 5。0存储产品，其读取速度达400MB/s，可是因为使用的是8位数据宽度的并行界面，因此其存储速度已经基本到达该标准的上线，以最新的eMMC 5。1标准为例，其理论带宽为600MB/s左右，性能的大幅度提升基本是不可能的了。根据JEDEC的设计方向来看，eMMC下一个标准将会由UFS（Universal Flash Storage）规格替代。

和eMMC不同，UFS 的闪存规格采用了完全新的标准，它使用的是串行界面，并且允许全双工运行，读写操作可一起进行，除此之外还支持指令队列。而eMMC是半双工的，读写操作必须分开执行，指令也必须打包，显然在速度上与UFS已经相差很大了。从理论上讲UFS 2。0 flash的读写速度可以达到每秒1400MB。

因此，我们将UFS视为一种继eMMC 5。0版后的NAND 闪存新一代的接口标准，未来将在智能手机及平板电脑等智能型移动装置上成为嵌入式储存媒体的主要的应用标准之一。UFS将提供极高的速度，可以高速存储大型多媒体文件，同时降低消费电子设备上的功耗。 高速数据存储的国内外研究现状和发展趋势:http://www.youerw.com/yanjiu/lunwen_96716.html