P0 口：是一个8位漏极开路的双向I/O口。作为输出口，每位能驱动8个TTL逻 辑电平。当P0端口为“1”时，引脚用作高阻抗输入。要访问外部程序和数据存储器时，P0口也被当作低8位地址/数据复用。在此种模式下， P0不具有内部上拉电阻。用flash编程时，P0口也可用来接受指令字节；当程序校验时，输出指令字节。程序校验时，需要外部上拉电阻。
P1 口：是一个8 位双向I/O 口，具有内部上拉电阻，p1 输出缓冲器可以驱动4 个 TTL 逻辑电平。当P1 端口为“1”时，内部上拉电阻把端口拉高，此时可以当作输入 口使用。用于输入使用时，被外部拉低的引脚由于内部电阻的原因，将输出电流（IIL）。
此外，P1.0和P1.1分别作定时器/计数器2的外部计数输入（P1.0/T2）和定时器/计数器2 的触发输入（P1.1/T2EX）。 在flash编程和校验时，P1口接收低8位地址字节。
引脚号第二功能：
P1.0 T2（定时器/计数器T2的外部计数输入），时钟输出
P1.1 T2EX（定时器/计数器T2的捕捉/重载触发信号和方向控制）
P1.5 MOSI（用在系统编程）
P1.6 MISO（用在系统编程）
P1.7 SCK（用在系统编程）
P2 口：是一个8 位双向I/O 口，具有内部上拉电阻，P2 输出缓冲器可以驱动 4 个 TTL 逻辑电平。当P2 端口为“1”时，内部上拉电阻使端口拉高，此时P2口可以作为输入 口使用。P2口当输入使用时，被外部拉低的引脚由于有内部电阻的原因，将输出电流（IIL）。当访问外部程序存储器或使用16位地址读取外部数据存储器（例如执行MOVX @DPTR） 时，P2 口送出高八位地址。在此类应用中，P2 口使用很强的内部上拉发送1。在使用 8位地址（如MOVX @RI）访问外部数据存储器时，P2口输出P2锁存器的内容。 在flash编程和校验时，P2口也接收高8位地址字节和一些控制信号。
P3 口：同样是一个有内部上拉电阻的8 位双向I/O 口，P3口输出缓冲器能驱动4 个 TTL 逻辑电平。当P3 端口为“1”时，内部上拉电阻把端口拉高，此时可以当作输入 口使用。当用作输入使用时，被外部拉低的引脚由于内部有电阻的原因，将输出电流（IIL）。 P3口亦作为AT89S52特殊功能（第二功能）使用，如下表所示。 当flash编程和校验时，P3口也接受一些控制信号。
端口引脚 第二功能：
P3.0 RXD(串行输入口)
P3.1 TXD(串行输出口)
P3.2 INTO(外中断0)
P3.3 INT1(外中断1)
P3.4 TO(定时/计数器0)
P3.5 T1(定时/计数器1)
P3.6 WR（外部数据存储器写选通)
P3.7 RD（外部数据存储器读选通)
此外，P3口还接收很多用于flash程序校验和闪存编程的控制信号。
RST：复位输入。振荡器工作的时候，RST引脚若出现两个机器周期以上高电平，单片机将复位。
ALE/PROG：若访问外部程序存储器或数据存储器时，ALE（地址锁存允许）输出脉冲用于锁存地址的低8位字节。一般情况下，ALE仍以时钟振荡频率的1/6输出固定的脉冲信号，因此它可对外输出时钟或用于定时目的。要注意的是：每当访问外部数据存储器时将跳过一个ALE脉冲。对Flash存储器编程期间，该引脚还用于输入编程脉冲（PROG）。如有必要，可通过对特殊功能寄存器（SFR）区中的8EH单元的D0位置位，可禁止ALE操作。该位置位后，只有一条MOVX和MOVC指令才能将ALE激活。此外，该引脚会被微弱拉高，单片机执行外部程序时，应设置ALE禁止位无效。
PSEN：程序储存允许（PSEN）输出是外部程序存储器的读选通信号，当AT89S52由外部程序存储器取指令（或数据）时，每个机器周期两次PSEN有效，即输出两个脉冲，在此期间，当访问外部数据存储器，将跳过两次PSEN信号。 AT89S52单片机节能型路灯控制系统模型设计+PCB电路图+源码+流程图(4):http://www.youerw.com/zidonghua/lunwen_1174.html