ERN    D9    D8    D7    D6    D5    D4    D3    D2    D1    D0    A3    A2    A1    A0    SP(首位)
数据书写时序图如图2-2所示。
图2-2   写EEPROM时序图
直接写控制寄存器则只需用到两个引脚，分别是SDATA和SCLK，本文采用这种工作方式。
当TESTSEL位为逻辑低电平时，用户可以通过串行数据流和时钟信号将修正值和控制字写入移位寄存器。数据流里要填写58位数据。下图为相应的时序图表，显示了在60个选通沿写入修正值和控制字的次序。注意，用户可以只对58个选通沿进行操作而忽略前两个无关紧要的位，且在这个模式中HV16和WRT引脚未定义。
 图2-3   写控制寄存器时序图
表2-2  数据格式
DX    控制位名称    DX    控制位名称    DX    控制位名称    DX    控制位名称
D0    任意值    D15    CS1_7    D30    任意值    D45    B3
D1    任意值    D16    CS1_8    D31    CSELCT0    D46    B2
D2    CS2_5    D17    CF0    D32    CSELCT1    D47    B1
D3    CS2_4    D18    CF1    D33    CSELCT2    D48    B0
D4    CS2_3    D19    CF2    D34    CSELCT3    D49    任意值
D5    CS2_2    D20    CF3    D35    SOFF    D50    D2
D6    CS2_1    D21    CF4    D36    OFF4    D51    D1
D7    CS2_0    D22    CF5    D37    OFF3    D52    D0
D8    CS1_0    D23    CF6    D38    OFF2    D53    T0
D9    CS1_1    D24    CF7    D39    OFF1    D54    T1
D10    CS1_2    D25    CF8    D40    OFF0    D55    T2
D11    CS1_3    D26    CF9    D41    B7    D56    T3
D12    CS1_4    D27    任意值    D42    B6    D57    R0
D13    CS1_5    D28    GAINSEL    D43    B5    D58    R1
D14    CS1_6    D29    任意值    D44    B4    D59    R2

3)  MS3110的编程位
MS3110工作过程的建立主要通过写各编程位来完成，这些编程位包括所有需要设置的信息，例如，电流参数、电压参数、振荡器修正值、偏置修正、前置电容修正、增益选择等。当芯片用于检测不同种类的电容式加速度计时，调节这些参数，可以减小零偏，使芯片的工作状态更稳定。表2-3是设计中主要使用到的MS3110各编程位及其描述。 基于MS3110的电容式MEMS加速度计微电容读出电路设计(6):http://www.youerw.com/zidonghua/lunwen_3660.html