2.1.1硅光电二极管工作原理

硅光电二极管在无光照射的条件下，若给PN结加一个适当的反向电压，则内建电场被增强，PN结空间电荷区将会变宽，势垒增大，使流过PN结的暗电流（或称为反向饱和电流）很小。暗电流是少数载流子漂移运动造成的[7]。

在辐射光照射硅光电二极管时，如果光子能量大于或等于材料禁带宽度，光生空穴和光生电子分别被拉向P区和N区，少数载流子运动造成的光电流便在外加电场作用下形成了。辐射光越强，那么在相同前提下生成的载流子就会越多，光电流更大。

如果把硅光电二极管和负载电阻串联，负载电阻的两端会获得按光照度变化电压信号，将实现光信号和电信号之间的转化。硅光电二极管成本低廉、抗噪性好且不需要复杂的系统设计。