P1 口：P1 口是一个内部提供上拉电阻的 8 位双向 I/O 口，P1 口缓冲器能接收输出 4TTL 门电流。P1 口管脚写入 1 后，被内部上拉为高，可用作输入，P1 口被外部下拉为低电平 时，将输出电流，这是由于内部上拉的缘故。在 FLASH 编程和校验时，P1 口作为第八位地 址接收。

P2 口：P2 口为一个内部上拉电阻的 8 位双向 I/O 口，P2 口缓冲器可接收，输出 4 个 TTL 门电流，当 P2 口被写“1”时，其管脚被内部上拉电阻拉高，且作为输入。并因此作 为输入时，P2 口的管脚被外部拉低，将输出电流。这是由于内部上拉的缘故。P2 口当用 于外部程序存储器或 16 位地址外部数据存储器进行存取时，P2 口输出地址的高八位。在 给出地址“1”时，它利用内部上拉优势，当对外部八

位地址数据存储器进行读写时，P2 口输出其特殊功能寄存器的内容。P2 口在 FLASH 编程 和校验时接收高八位地址信号和控制信号。

P3 口：P3 口管脚是 8 个带内部上拉电阻的双向 I/O 口，可接收输出 4 个 TTL 门电流。 当 P3 口写入“1”后，它们被内部上拉为高电平，并用作输入。作为输入，由于外部下拉 为低电平，P3 口将输出电流（ILL）这是由于上拉的缘故。

P3.0 RXD（串行输入口） P3.1 TXD（串行输出口） P3.2 /INT0（外部中断 0） P3.3 /INT1（外部中断 1）

P3.4 T0（记时器 0 外部输入） P3.5 T1（记时器 1 外部输入）来~自^优尔论+文.网www.youerw.com/

P3.6 /WR（外部数据存储器写选通） P3.7 /RD（外部数据存储器读选通）

P3 口同时为闪烁编程和编程校验接收一些控制信号。

I/O 口作为输入口时有两种工作方式，即所谓的读端口与读引脚。读端口时实际上并 不从外部读入数据，而是把端口锁存器的内容读入到内部总线，经过某种运算或变换后再 写回到端口锁存器。只有读端口时才真正地把外部的数据读入到内部总线。上面图中的两 个三角形表示的就是输入缓冲器 CPU 将根据不同的指令分别发出读端口或读引脚信号以完 成不同的操作。这是由硬件自动完成的，不需要我们操心，然后再实行读引脚操作，否则 就可能读入出错，为什么看上面的图，如果不对端口置 1 端口锁存器原来的状态有可能为 0Q 端为 0Q^为 1 加到场效应管栅极的信号为 1，该场效应管就导通对地呈现低阻抗，此时 即使引脚上输入的信号为 1，也会因端口的低阻抗而使信号变低使得外加的 1 信号读入后

不一定是 1。若先执行置 1 操作，则可以使场效应管截止引脚信号直接加到三态缓冲器中 实现正确的读入，由于在输入操作时还必须附加一个准备动作，所以这类 I/O 口被称为准 双向口。89C51 的 P0/P1/P2/P3 口作为输入时都是准双向口。接下来让我们再看另一个问 题，从图中可以看出这四个端口还有一个差别，除了 P1 口外 P0P2P3 口都还有其他的功能。