晶体生长是在“晶胚”的基础上开始的，并向外延伸。随后，通过该“晶胚”的长大实现晶体生长。在此过程中我们最重要的是控制温度，因为合适的温度场直接决定了热力学平衡条件，从而决定了晶体的生长。由于结晶界面的溶质分凝会在晶体生长系统中建立起扩散场，故如何控制质量的传输（扩散行为）成为任何一种生长方法都需考虑的关键因素。

助溶剂法晶体生长需严格控制温度场的非均匀性从而来把握晶体生长过程中的核心，保证晶体的定向生长。在传热方式方面，导热是最基本的方式，其中辐射换热最为常见，尤其是在高温熔体生长过程中。辐射热量既可以从外界吸收，也可以向外释放，并且随着与热源之间的距离的减小而增大。

晶体生长温度场的控制是一个闭环控制过程[6]，所以对温度的分布和测量进行精确的控制，并实时通过测温系统中的温度传感器检测温度数据，当温度传感器检测到的温度T高于目标温度T0时，系统的功率控制元件启动降低加热功率；反之则控制元件增大加热功率，从而使实际温度趋于目标温度值，实现对温度的振荡控制。

晶体生长常常涉及化学反应，因为在晶体的合成过程中伴随着金属键、离子键和共价键等化学键的形成，有是还涉及络合物、胶体、分子间作用力形成的吸附等问题。促使原有化学键破坏，形成新的化学键的过程也伴随着能量的转化，但这部分能量的转化与原材料反应是的扩散行为有关。