摘 要： 本文采用0。18μm CMOS工艺设计了一个带隙基准电压源电路，它由主体电路、运算放大器和启动电路三部分构成。电路使用 Cadence 进行仿真和验证，并对仿真结果进行分析。仿真结果表明：在3V电源电压下带隙基准电压源在-40℃—125℃范围内的温度系数为 8。11ppm/℃—56。08ppm/℃，基准源的各项性能参数均达到预期要求。85452
毕业论文关键词：CMOS，带隙基准电压，运算放大器，温度系数，电源抑制比
Abstract： This paper presents the design of a bandgap voltage reference circuit, which is based on 0。18μm CMOS process and consists of open circuit, bias circuit and amplifying circuit of three parts, at the same time, the circuit uses the Cadence Spectre to simulate and verification, and analysis the results。 Simulation results shows that: under 3v supply voltage, the bandgap reference voltage source in the range of -40℃-125℃ temperature coefficient is 8。11ppm/℃-56。08 ppm/℃, the performance of the reference source parameters to meet expectations。
Keywords: cmos, bandgap reference voltage source, operational amplifier temperature coefficient, psrr
目 录
1 前言 3
1。2基准源的发展前景及趋势 3
2 带隙基准源的源Q于W优H尔J论K文M网WwW.youeRw.com 原文+QQ75201.,8766 基本原理 4
2。1带隙基准源温度系数的产生 4
2。1。1正温度系数产生的原理 4
2。1。2负温度系数产生的原理 6
2。1。3带隙基准电压源的实现 7
2。2带隙基准源的相关性能参数 8
3 带隙基准源电路的设计与仿真 9
3。1基准源电路的设计分析 10
3。1。1主体电路的设计 10
3。1。2运算放大器的设计 11
3。1。3启动电路的设计 12
3。1。4完整的电路结构 13
3。2基准源电路的仿真讨论 13
3。2。1基准源输出电压与温度的关系 13
3。2。2基准源运放的环路增益以及相位裕度 14
3。2。3本章小结 16
结 论 17
参 考 文 献 18
致 谢 19
1 前言
1。1基准源的研究现状及意义
基准源模块是模拟电路中的核心电路之一。基准源电路就是指产生电压基准和电流基准的电路。基准源普遍应用于各种模拟集成电路、数模混合信号集成电路和系统集成芯片中，是必不可少的基本单元。在模/数转换器（ADC）、数/模转换器（DAC）、动态存储器（DRAM）等集成电路设计中，基准的精度决定着系统的精度，所以一个满足要求的基准电路必不可少，只有这样才能达成电路模块预期的性能。因此，高性能的基准源一直是研究的热点。目前，世界各国正在大力研制开发新型开关电源，这是节约能源的重大举措，而带隙基准源是其中的一个重要的组成部分，由此看来，带隙基准源在集成电路的发展中起着极其重要，对其研究具有十分重要的实用价值[1]。来自优W尔Y论W文C网WWw.YoueRw.com 加QQ7520,18766 CMOS带隙基准电压的设计:http://www.youerw.com/tongxin/lunwen_197024.html