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Investigation results show that the emissivity variation of Ba doped La0.7Ba0.3MnO3
thin films is small. Compared with the former, the emissivity of Sr doped
La0.7Sr0.3MnO3 thin film shows a larger change. And the emissivity increment reaches
0.387. The metal to insulator transition temperature is reduced to around 313 K.
Keywords Variable emissivity, Ba doped manganite, Spectral reflectivity,
thermochromic film
目录
图表目录. II
1 绪论 1
1.1 背景及意义 1
1.2 国内外对热致变色材料的研究现状 3
1.3 课题的主要内容 6
2 靶材的制备 8
2.1 块材的制备方法 8
2.2 块体材料制作流程 . 12
2.3 制靶 . 13
3 薄膜的制备 . 14
3.1 等离子喷涂技术 . 14
3.2 物理气相沉积(PVD)技术 15
3.3 溶胶—凝胶法 . 18
3.4 实验系统介绍 . 18
3.5 磁控溅射镀膜 . 20
3.6 退火处理 . 21
4 热致变色薄膜热辐射特性的研究 . 23
4.1 原理 . 23
4.2 测量仪器及原理 . 24
4.3 测量结果以及分析 . 25
5 总结与展望 . 34
致谢. 35
参考文献. 37
图表目录
表 1. 1 传统热控涂层. 2
表 1. 2 样品工艺参数. 25
图 1. 1 La0.825Ca0.175MnO3陶瓷片发射率随温度变化图 . 4
图 1. 2加拿大用 PLD 制备的热致变色涂层 4
图 1. 3涂层发射率随温度的变化曲线 5
图 1. 4膜系优化前后的光谱特性曲线 6
图 2. 1 La1-x(Sr,Ca,Ba)xMnO3发射率随温度变化图 9
图 2. 2 La1-xBaxMnO3发射率随温度变化图像 . 9
图 2. 3 La1-xCaxMnO3发射率随温度变化图像 . 10
图 2. 4 8-14μm 波宽的 La1-xSrxMnO3发射率随温度变化图 . 10
图 2. 5 试样A与试样 B在不同膜厚时发射率随温度的变化情况 . 11
图 2. 6 正交晶体与斜交晶体发射率随温度变化关系. 12
图 3. 1 等离子喷涂法原理图. 14
图 3. 2 溅射过程示意图. 16
图 3. 3 磁控溅射原理示意图. 16
图 3. 4 La-Sr-Mn-O薄膜半球发射率—温度特性 . 17
图 3. 5 脉冲激光沉积法原理图. 17
图 3. 6 实验系统照片. 18
图 3. 7磁控溅射制膜工艺流程图 20
图 3. 8 退火的温度曲线. 22
图 4. 1 镀在Si 基底上的 La0.7Ba0.3MnO3薄膜反射率波长关系图 氧体积
分数：20% 26
图 4. 2 镀在YSZ基底上的 La0.7Ba0.3MnO3薄膜反射率波长关系图 氧体积
分数：20% 26
图4. 3镀在YSZ基底上的La0.7Ba0.3MnO3薄膜反射率波长关系图 氧体积
分数：0% 27
图 4. 4 镀在YSZ基底上的 La0.7Sr0.3MnO3薄膜反射率波长关系图 氧体积
分数：20% 27
图 4. 5 La0.7Ba0.3MnO3块体反射率温度关系图 28
图 4. 6不同组分样品发射率随温度变化曲线与块体材料的比较 28
图 4. 7 1#薄膜样品发射率与 Si 常温下的发射率对比图 31