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    磁性材料可以存储万亿的比特，但是在磁化翻转的过程中，磁性介质本身的性能并没
    有发生改变。对于科技和基础科学，特别是电磁学和自旋电子学，外在调控磁性材料
    性能的能力是迫切需要的[14,15]
    。为了使调控磁化的技术与半导体制备兼容，电场调控
    磁化这一途径备受研究者的青睐。
    2000 年，H.Ohno 等[16]
    报道了使用绝缘门电极场效应晶体管结构，在半导体合金
    (In,Mn)As 薄膜中实现了铁磁体的电场调控。通过施加电场，可以等温可逆地改变空
    穴诱导的铁磁性的转变温度。D.Chiba 等[17]
    通过施加电场改变(In,Mn)As 载流子的浓
    度，成功地调控了磁化翻转所对应的矫顽力。紧接着，他们通过施加电场，调控了
    (Ga,Mn)As 中的空穴浓度和磁各向异性，继而操纵了磁化矢量[18]
    （如图 1.3 所示）。随
    着越来越多关于电场调控磁性的报道，电场调控磁性的研究逐渐显示出其重要性。 
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