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本小节主要对材料中的缺陷的相场模拟予以介绍。
材料中存在的各种缺陷，如晶界、滑移带、裂纹等,这些缺陷可以用不同类型分
布的位错来描述,各种缺陷对新相形核以及相变过程起着重要作用，新相在这些缺陷
附近的形成不仅改变材料的物理性能，而且改变应力的分布状态，因此会改变材料的
损伤行为。近年来发展了许多方法来模拟位错反应行为，Lee用离散原子方法(DAM)
研究了位错和共格沉淀相之间的关系，Wang等用Monte Carlo方法模拟了位错移动，
Leonard和Desai首次使用位错的弹性解析法研究了失稳分解过程中位错对组织演化的
影响。 近年来， 关于位错的相场模拟逐步发展起来。Hu和Chen结合Cahn–Hilliard
方程和由各种缺陷引起的弹性应变场提出了相场模拟方法，把结构缺陷看做是由晶格
畸变，由所谓的“工程应变”描述，如位错结看做连续的错配面，这样可以获得具有
任意分布的缺陷产生的应变场。 最近，Khachaturya及其合作者利用相场模拟位错动
力学取得了新的进展。他们提出了弹性各向异性晶体的位错动力学相场近似，采用基
于 Khachaturyan–Shatalov (KS)理论的3-D相场微观弹性模型, 该模型为位移型(马
氏体相变) 相场模型的特殊形式, 位错环使用一系列的序参数场变量来描述，序参数
的瞬时演化，也即位错的移动，由Time-Dependent Ginzburg–Landau (TDGL)给出。
该模型不仅可以考虑位错间的长程弹性应力，也可以考虑由位错繁殖和消失引起的短
程相互作用[10]
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