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于八十年代初期研制成功的IGBT经过几十年的发展,已经很成熟地运用于20kHz以上的大功率高频领域。综合了GTO和MOSFET的优点,具有高耐压、大电流、高频率等优越的综合性能。IGBT并联使用的目的是扩容,但也会因此而产生动静态的电流不平衡问题,引起器件失效甚至损坏主电路[6]。因此必须设计更合理而
经济
的均流方案完善均流,如:驱动电路对称布局,保持器件的开断时间一致,减少寄生振荡的形成[6]。22968
目前市场上商品化的大功率IGBT模块并不能满足大功率换流电路的要求,且由于IGBT开通损耗和关断损耗很小,成熟地应用在各个领域中。IGBT本身特性适合于并联,在开通和关断时间都有要求的直流大电流开关应用中合理的并联方案是最佳选择。市场上IGBT不仅输出大,可达 3600A/1700V,而且开关动作很快,通常只在微秒量级[7]。因此多个器件并联在经济效益和散热、
物理
布局的灵活性方面更有优势[8]。
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国际上正在掀起对IGBT并联均流技术的
研究
热潮,国外学者提出了一些均流方法。
栅极信号调制:利用一种闭环控制电路,可以实现栅极驱动信号同步调制,从而改善了IGBT并联时的动静态均流,该方法能够减小电流动静态降额率,并且不限制并联器件的数量[10]。
无能耗动态均流缓冲电路:均流缓冲回路很好地改善了IGBT通态电阻不一致和开关信号延时的缺陷,实现了均流。同时还减小了IGBT开关功耗,实现了经济效应[10]。
此外,国内学者提出的栅极电阻补偿法,通过串联合适的栅极电阻来改善由驱动电路信号响应不同步导致的不均流[9],较好地改善了由器件参数特性不一致导致的动静态电流分布不均的情况[10]。
本文验证了栅极电阻补偿法对均流的改善作用。
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