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PIN 二极管与普通的PN结二极管不同的地方在于，PIN管在掺杂的P+和N+区中夹有一层很厚的非掺杂的本征层（被称为I层）。当载流子电子和空穴在正向偏置作用下被注入I层时，其中的电子和空穴将不会马上相互中和，而是会继续保留一段时间，因此电荷量就在PIN管内部得到累积，这样就使得该I层的电容变大，阻抗下降；而当 PIN 管反向偏置或零偏置时，则 I 层无电荷聚集，这种情况下 PIN 管就表现出非常高的阻抗值。
当前主流开关技术以PIN二极管和HEMT为主，而射频微机电开关及SI基 SOI技术仍然还局限在学术研究当中。
目前国际上研究射频开关和并销售芯片的公司主要是Skyworks、Angilent、Peregrine、Infineon等公司。在2007年，Infineon 推出了首个兼有 GaAs 性能的 CMOS 开关。Peregrine
开关主要应用 ultra CMOS 技术，并在国内外移动终端应用的射频开关市场中占有重要地位。目前来看，市场上射频开关性能已经非常优越，已有开关的工作频率覆盖了GSM 的工作频段并且能达到110GHz 超高频段。射频开关的掷数也从早期的SPDT发展到了SP12T。