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此外，还有许多研制成功的霍尔器件。1999年，毛赣如、姚素英、曲宏伟提出了一种新颖的集成磁敏传感器，电流相对灵敏度可达 V/ ，高于同类磁敏传感器[ ]。同年，Schott提出一种三文霍尔磁传感器，在每个轴上各放一个霍尔元件就可同时测量磁场在三个轴上的分量，目前该器件已有相应产品，用作三文特斯拉计[ ]。
2001年，Ralf Gottfried-Gottfried提出了一种CMOS霍尔传感器的新成果，研究了在恒流状态和恒压状态下与温度相关的灵敏度，恒压状态下电流相对灵敏度的变化非常小，仅为0.03%/℃[ ]。
2005年，浙江大学刘同、朱大中提出在磁敏线阵列传感器集成电路芯片中采用扇形MAGFET器件，最大跨导为400 。2007年Ch.S.Roumenin等人提出了一种利用CMOS双霍尔器件支撑的线性位移传感器[ ]，实验得到的相对灵敏度是61V/ ，在频率 范围内可探测到的最小磁感应强度大约是12 。
从最早的InSb、GaAs和Ge等分立霍尔元件，到多层结构和超晶格结构的高性能霍尔元件，以及基于硅集成电路工艺的霍尔集成电路，在它们出现、成长和日臻完善的几十年里，质量、品种、产量都急速地上升，给工业、信息等产业带了极大的进步