国内也有一些学者在从事这方面的研究。如四川大学的卢勇、林理彬等人以纯五氧化二钒为原料(纯度99．99％)、采用真空蒸镀与真空退火处理相结合的方法在载玻片上制备VO2薄膜，在波长(0．8～0．9)um时高、低温透射率之差为(5-'8)％，相变温度约64℃。论文网

哈尔滨工业大学光电子技术研究所的查子忠等以纯金属钒(纯度99．9％)为原料、采用反应蒸发沉积法(反应蒸镀法)在单晶硅衬底上沉积VO2薄膜，在红外线波长(2．5～25)um范围内，高、低温时的透射率之差约为50％，相变温度为68℃。

中国科学院上海硅酸盐研究所吴召平等以纯金属钒作靶材，采用脉冲激光剥离法(PLA)，在蓝宝石单晶衬底上制备VO2薄膜。在衬底温度500°C、氧气偏压为6．67Pa条件下VO2薄膜相变温度为65°C，电阻率在相变前后变化了4个数量级[4]。

综上所述，可以得出国内外学者研究VO2薄膜的主要特点如下：

(1)制备VO2薄膜所采用的方法可归为四类：其中一类方法为真空蒸镀法(包括活性反应蒸发法，反应束蒸发法，反应蒸发法和脉冲激光沉积法)，第二类方法为溅射法(包括直接溅射法，DC磁控溅射，DC反应磁控溅射和RF反应磁控溅射)，第三类为化学气相沉积法(含MOCVD)，第四类为Sol-Gel法(分为有机Sol-Gel法和无机Sol-Gel法)。而这四类方法又可为两大类：第一大类是物理法，第二大类是化学法。其中一、二类方法即真空蒸镀法和溅射法归为物理法，三、四类方法即化学气相沉积法和Sol-Gel法归为化学法。

(2)所用原料为纯金属钒或纯钒氧化物或纯含钒有机化合物。

(3)国外学者在以各种方法制备VO2薄膜过程中，除了CVD法、MOCVD法和Sol--Gel法外，多采用高真空条件；国内学者在以各种方法制备VO2薄膜过程中，均需要高真空条件。

(4)选用多种材质衬底制备VO2薄膜。既有晶体衬底又有非晶体衬底。其中晶体衬底多数为蓝宝石，少数为单晶硅、石英等。非晶体衬底多数为普通玻璃，少数为载玻片、普通幻灯片以及陶瓷等。

(5)在电学和光学性能突变方面。在晶体衬底上VO2薄膜的电阻突变数量级范围为2.4—5.0，而在非晶体衬底上多为1.0—3.0，少数达4.0-5.0[5]。

(6)由于钒的多价态，在制备过程中往往得不到纯净的VO2，往往混有少量其它价态的钒氧化物，因此制备具有纯化学计量比的VO2是非常困难的。因此，严格说来，所谓VO2薄膜是指具有明显VO2特征的钒氧化物薄膜。反之，薄膜中VO2含量也不一定越多越好。实际上，它只要满足需要即可，而且薄膜中其它钒氧化物或掺杂物还可以改善薄膜的某些性能，如调整相变温度以适应应用要求等。

(7)国外学者的研究处于实验室研究阶段。而国内学者的研究处于实验室研究阶段或实验室起步阶段，其制备方法及工艺还有许多需要进一步完善之处，距工业化和实用化尚有相当长的距离。