关于激光最早的学说是在1917年被提出来的，那时候，爱因斯坦就曾经指出过激光器可能在未来被发明出来，他认为，正在激发状态的原子可以通过发射光子然后跳跃到能量较低的那一级去，有两种方法去实现，其中一种是自主辐射进行跃迁，另一种是受激辐射进行跃迁。受激辐射是激光理论的基石。70699

     随着半导体材料外延生长技术、半导体激光波导结构优化技术、腔面钝化技术、高稳定性封装技术、高效散热技术水平的不断提高，半导体激光器功率及光束质量飞速发展，促进了直接工业用半导体激光加工系统和高功率光纤激光器的发展。目前国际上直接工业用大功率半导体激光器在输出功率5000 W级别已超过灯抽运固体激光器的光束质量，在1000 W级别已超过全固态激光器的光束质量。随着化合物半导体技术的进步，工业用大功率半导体激光器的输出功率和光束质量将进一步提高，将进一步扩展其工业应用范围。在高功率光纤激光器抽运源方面，光纤耦合输出的功率不断上升，光纤芯径和数值孔径不断降低，导致光纤激光器的抽运亮度不断提高，同时成本却不断下降，因此未来高功率光纤激光器的输出功率与光束质量也将不断地提高。

在国内，最近几年高功率、高光束质量大功率半导体激光器相关领域方面也取得了长足的进步，如北京凯普林光电公司在单个单元器件的光纤耦合方面，西安炬光科技公司在半导体激光芯片的封装方面均接近或达到了国际先进水平，北京工业大学在半导体激光器系统方面达到了国际先进水平。但是在半导体激光器的核心部件—半导体激光芯片的研制和生产方面，一直受外延生长技术、腔面钝化技术以及器件制作工艺水平的限制，国产半导体激光器件的功率、寿命方面较之国外先进水平尚有较大差距。这导致国内实用化高功率、长寿命半导体激光芯片主要依赖于进口，直接导致我国半导体激光器系统的价格居高不下，严重影响了大功率半导体激光器在我国的推广应用，同时也限制了我国高功率光纤激光器的研制和开发。可喜的是，随着当前我国化合物半导体器件，如LED、多节GaAs太阳能电池、红外热成像器等技术的不断应用和发展，化合物半导体器件的外延技术和封装技术将不断成熟，这些技术应用于同是化合物半导体器件的半导体激光器，大大促进半导体激光器件的国产化，从而推动半导体激光器这一高效、节能型激光器更广泛地运用于我国的工业、国防、科研等领域中。论文网

再来看光纤方面，1969年，Jone和Hao采用SiCl4气象氧化法制成的光纤损耗降低到10dB/km，这是MCVD法的原型，后来发展成为现在的MCVD所采用的SiCl4、GeCl4等液态的原材料。

上世纪上半叶英美科学家先后发现了光纤的导光功能并进行了实际的应用，但到上世纪八十年代光纤在照明上的应用一直停滞不前，上世纪八十年代日本开始将光纤照明实际应用于装饰照明，在九十年代，结合计算机的功能将其应用于室外景观亮化和众多大型景观工程。与此同时，德国对于光纤照明的光源部分进行了深入的研究并得到了较好的应用。

整个照明行业的发展经历三个过程，首先是一般照明，然后追求照明效果，最后注重环保节能。在光纤照明的应用中，1880年，美国科学家在申请的专利中提到了光导管的设想，同年俄国也公布了类似的设想。20实际30年代，随着光纤制造技术和电光源技术的发展，提出了以光纤为载体，实现光电分离的照明思路。1955年，美国科学家把高折射率的玻璃棒套进第折射率的玻璃管中，经高温拉制，解决光绝缘问题。1964年美国杜邦公司开始研制聚合物光纤，简称POF。2000年，南京玻璃纤维研究设计院开始销售侧发光POF。2006年9越，中科院理化所采用连续化本体聚合法研制出Si型PMMA芯POF，深圳大圣光电科技有限公司采用这种技术在2007年实现了规模化生产。