（c）250 nm电容放电曲线  （d）250 nm电爆过程

图1。5  Al/NiO复合薄膜电容放电曲线与电爆过程

闫裔超[14]研究了调制周期对Al/NiO-MICs的影响，在40 V、47 μF条件下对调制周期为250 nm与1000 nm的Al/NiO复合薄膜进行电容放电，并采用高速摄影记录电爆过程，结果如图1。5所示。与250 nm的Al/NiO复合薄膜相比，1000 nm的Al/NiO复合薄膜峰值电压与峰值电流时间明显提前；高速摄影图像上出现最大的火焰时间将近提前了一半。结合热扩散实验结果[15]，他认为调制周期越小，界面层数量增加，热阻增大，热扩散时间越长，因此出现峰值电压与电流的时间会延长。