中微子经过高纯水或者闪烁液后，会激发出波长为 380~510nm 的光子，这可以被用来间 接探测中微子，由于该波长范围属于可见光，因此可选用双碱光电阴极作为光电探测材料， 锑钾铯光电阴极就是一种在可见光波段范围内拥有诸多优异性能的阴极材料[1]。74304

国内对锑钾铯阴极的研究起步较早，上世纪 50 年代，国内科研人员就已经发表了具体的 制备工艺[2]，而锑钾铯作为对可见光敏感的阴极材料最早由美国科学家 Sommer 于 1963 年报 到，报到同时给出了该阴极材料的下列特点[3]：

(1) 探测波长 400nm 可见光时其量子产额达到 30%，阈值波长约 600~650nm。 (2) 表面氧敏化能提高灵敏度，该特点与锑铯阴极相似但与锑钠钾型阴极相反。

(3) 室温下热电子发射很小(<10-17A/cm2)，远小于同样对可见光敏感的其他锑化物类阴 极。

(4) X-ray 衍射表明其晶格结构与锑钠钾相似，为立方对称结构，但两者的原子间距不同。

(5) 相比其他锑碱阴极，其电导率随温度变化更剧烈，从 160℃降至室温，电阻率增大

1000 倍。

McCarroll[4]对这种光电阴极作了详细的研究，认为其化学计量式为：K2CsSb，立方对称 晶型结构，晶格常数：a0=8。615±0。002Å，P 型直接禁带半导体，禁带宽度 Eg=1。0eV，电子亲 和势 Ea=1。1eV，表浅氧化可提高灵敏度并延伸其长波阈，氧敏化前后灵敏度为 100μA/lm 和 130μA/lm，阈值波长为 660nm 和 780nm[5]。

同时，作为具有光学吸收能力的薄膜，锑钾铯阴极的各种光学参数在提高其量子产额的 研究中也具有十分重要的意义。尤其在利用光学监控法指导制备过程时，只有事先获得阴极 薄膜的光学参数，才能监控薄膜生长过程中诸如膜厚、反射率、透射率、生长速率等信息， 从而制备出具有高量子产额的阴极，锑钾铯阴极复折射率参数[6]详见表 1。1。

表 1。1 锑钾铯阴极复折射率表

λ(nm) 380 395 410 425 440 455 470 485 500 515 530

n 1。92 2。18 2。38 2。61 2。70 2。87 3。00 3。00 3。00 3。09 3。26

k 1。69 1。69 1。71 1。53 1。50 1。44 1。34 1。11 1。06 1。05 0。86

λ(nm) 545 560 575 590 605 620 635 650