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SR型静止无功补偿装置属于第一代静止补偿器,它具有快速、可靠、过载能力强、产生谐波小和一定的抑制三相不平衡的能力等优点。但是由于这种装置中的饱和电抗器造价高,约为一般电抗器的4倍,并且电抗器的硅钢片长期处于饱和状态,铁心损耗比并联电抗器大2-3倍,另外这种装置还有振动和噪声,而且调整时间长,动态补偿速度慢,由于具有这些缺点,所有饱和电抗器的静止无功补偿器目前应用的较少,一般只在高压输电线路才有使用[4]。
2) 晶闸管控制电抗器(TCR)
晶闸管控制电抗器(Thyristor Controlled Reactor - TCR)的基本原理如图1-1所示。控制元件是可控硅控制器,在图中表示成为两个以相反极性并联的即反并联的可控硅,它们在电源电压的不同半周轮流导通。如果可控硅在电源电压峰值是准确地导通,就可使电抗器完全导电,其中的电流就和可控硅控制器被短路掉了的一样。电流基本上是无功的,滞后于电压约90°,其中包含少量的同相分量,它是由电抗器的功率耗损决定的。其数量级约为无功功率的0.5%-2%。
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