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半导体火工品国内外研究现状

时间:2018-08-07 16:18来源:毕业论文
半导体火工品首先在国外发现,经过了几十年的发展,各项技术都接近于成熟。现在国外的研究方向主要是在传统的半导体桥技术的基础上,对半导体桥结构进行改进或研发新的芯片,

半导体火工品首先在国外发现,经过了几十年的发展,各项技术都接近于成熟。现在国外的研究方向主要是在传统的半导体桥技术的基础上,对半导体桥结构进行改进或研发新的芯片,以此加强静电防护能力及安全可靠性,并具有了成熟的技术和完善的工艺流程。其研究的内容主要有以下几方面。26703
(1)具有介电层的半导体桥元件
在金属化的电极和桥区间之间插入了一个介电层,这个介电层的击穿电压和半导体桥发火元件的击穿电压相近,介电层与半导体桥发火元件的发火线路呈串联结构[7]。当有低于其击穿电压的杂散电势时,介电层就会阻止电流进入,对半导体桥发火元件起到一个很好的保护作用,使半导体桥发火元件处在一个较为安全的电压、电流环境下。而加上高于其击穿电压的电压时,介电层就会被迅速被击穿,这样半导体桥元件的发火电路就会形成一个闭合回路,半导体桥发火元件就可以正常发火。而介电层的介电场强度由介电层的材料和厚度决定,从而决定介电层的击穿电压,可以在一定范围内改变介电层的击穿电压,从而满足半导体桥发火元件的不同需求。其结构图如图1.1。
具有介电层的SCB
图1.1具有介电层的SCB
介电层的材料一般为绝缘材料,当它插入金属层和发火桥之间时,介电层就相当于一个电容器,这样就能很好地保护半导体桥发火电路。由结构图可知,介电层是集成在半导体桥火工品中的,这样既不影响半导体桥火工品的大小,也不会影响其发火性能,还能在一定程度上防止小能量的射频的影响。在实际应用的过程当中,由于不同样式的半导体桥火工品的发火时间和输入能量的不同,所以要及时改变介电层的材料和厚度来满足其需求。论文网
(2) 具有阻抗的电爆装置
在电源和电爆装置之间加入一个人阻抗元件,这个阻抗元件具有很高的阻值[8],且这个阻抗元件含有一个铁氧体磁芯,磁芯与导线和壳体在线路上相连,从而形成一个静电泄放通道。当杂散电流进入线路之后,阻抗元件具可以很好地阻止杂散电通过流电爆装置,且磁芯与壳体相连,提供了一个接地的线路,杂散电流会通过线路,从而保护电爆装置。当正常电流通过时,阻抗元件不会影响其电流的通过,电爆装置也可以正常启动,对发火性能的影响不大。其结构图如图1.2。

图1.2 具有阻抗的电爆装置
由图1.2可知,铁氧体元件与壳体紧密相连,其元件与发火线路串联,且其能够承受多次静电放电的干扰。在放射频干扰上,铁氧体元件具有很好的性能,能够在10KHZ的范围内提供射频衰减。高阻抗元件易于操作,可以多次重复衰减静电和射频干扰,而且具有阻抗元件的电爆装置可以进行检查和测试,对其防静电能力有一个更深一步的了解。
(3)齐纳二极管
齐纳二极管,具有箝位电压的特性,其功能的实现是通过在二极管上的PN结在反向击穿的所表现出来的稳压特性[9-10]。当反向电流或杂散小电流进入发火线路时,二极管会表现出极高的电阻,从而阻止了静电对发火线路的影响。当正常直流进入发火线路时,电阻就会表现出很小的值,使得电流能够顺利通过发火线路,使半导体桥火工品能够在正常的电流激励下成功发火。齐纳二极管具有击穿电压,当超过临界电压时,二极管才能表现出低阻值的状态,随着电流的增加,加在二极管两端的电压却能保持恒定。其结构如图1.3。
图1.3集成齐纳二极管的半导体桥火工品
在半导体桥火工品中集成二极管,可以有效地衰减静电对SCB的影响。在集成齐纳二极管的基础上,还可以并联电容来提高SCB的防射频能力。但是在对齐纳二极管的击穿电压的选择上,要根据集成二极管之后的SCB    的发火性能及防静电能力来决定。 半导体火工品国内外研究现状:http://www.youerw.com/yanjiu/lunwen_20965.html
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