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K波段场效应管低噪声放大器的设计(2)

时间:2021-03-10 20:09来源:毕业论文
3 2.1 低噪声放大器的主要技术指标和定义 3 2.1.1噪声系数与噪声温度 3 2.1.2功率增益 4 2.1.3工作频带 7 2.2低噪声放大器的设计原则 7 2.3 本章小结 7 3 K波段低

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2.1 低噪声放大器的主要技术指标和定义 3

2.1.1噪声系数与噪声温度 3

2.1.2功率增益 4

2.1.3工作频带 7

2.2低噪声放大器的设计原则 7

2.3 本章小结 7

3  K波段低噪声放大器的方案设计 7

3.1主要设计指标 7

3.2总体设计考虑和技术方案 8

3.3 LNA电路稳定性的设计 8

3.3.1绝对稳定条件 9

3.3.2稳定电路设计实现 9

3.4 偏置网络设计 11

3.5 第一级放大电路的设计 13

3.6 第二级放大电路的设计 16

3.7 第三级放大电路的设计 17

3.8 低噪声放大器的级联 19

3.8.1级间匹配电路的实现 20

3.8.2级间匹配电路及调试 20

总结 22

致谢 23

参考文献 23

1  绪论

20世纪40年代以来,微波在电子武器的发展过程中,进而到商用和民用系统中,都是最为活跃和最富成果的应用技术,固态器件和微波集成电路的发展使得微波元部件乃至整个微波系统沿着波导电路一微波混合集成电路一微波单片集成电路的技术路线向前发展。

近年来随着微波、毫米波技术的迅速发展,微波通信、导航、制导、卫星通信以及军事电子对抗战和雷达等领域对放大器件的需求量也越来越大。特别是由于无线电通信频率资源的日益紧张,分配到各类通信系统的频率间隔越来越密,这对接收系统前端的器件,尤其是低噪声放大器件,提出了更高的要求,以减小不需要的干扰因素,放大接收到的有用信号。另一方面,由于新材料、新工艺的不断出现,以及半导体技术的迅速发展,各种新的射频模块层出不穷,使得微波、毫米波有源电路的研制周期不断缩短,且电路集成度越来越高,体积越来越小。因此,为了适应未来形势的发展需要,我们有必要缩短研制设计周期,研制高性能、低噪声、小体积的微波放大器件,这已是目前国内国际各个应用领域的关键环节之一。论文网

1.1  低噪声放大器的研究意义

随着技术与工艺的提高,通信系统中限制通信距离的因素已不是信号的微弱程度,而是噪声干扰的程度。克服噪声干扰是设计电子设备必须考虑的问题。从广义上来讲。噪声是指设计中不需要的干扰信号,然而各种各样的通信信号通常是以电波形式传播,因此,接收有用信号的同时,不可避免地混入各种无用信号。即便是采取滤波、屏蔽等方法,还是会有或多或少无用的信号渗入到接收信道中,干扰后续信号处理。在改善外部干扰的同时,还需充分发挥设计人员的主观能动性,即就是从接收机内部降低设备自身干扰,主要是采用低噪声放大器来实现。

1.2  低噪声放大器的发展状况

由于放大器在各类微波系统中的重要作用,近一、二十年来,国外对于这类器件的投入和研究都很多。随着集成度和微波工艺的迅速提高,人们对放大器件的性能指标也提出了更高的要求。为了适应更为广泛的情况,宽频带、低噪声的放大器越来越受到人们的青睐。国外,对于低噪声放大器,已经可以做到最高频率为50GHz的产品。由于通频带设计上的困难,50GHz带宽的低噪声放大器,是按频段划分实现的。如,2GHz.4GHz内的通带低噪声放大器,1GHz-18GHz带内的产品等等。 K波段场效应管低噪声放大器的设计(2):http://www.youerw.com/yanjiu/lunwen_71188.html

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