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工艺参数对高硅铝合金CMT组织与性能的影响(2)

时间:2022-12-05 20:49来源:毕业论文
2 1。3高硅铝合金的性能 4 1。4 国内外 的研究概况 6 1。5硅铝合金现代焊接方法 6 1。5。1钎焊 7 1。5。2激光焊接 8 1。5。3电子束焊接 8 1。5。4搅拌摩擦焊

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1。3高硅铝合金的性能 4

1。4国内外的研究概况 6

1。5硅铝合金现代焊接方法 6

1。5。1钎焊 7

1。5。2激光焊接 8

1。5。3电子束焊接 8

1。5。4搅拌摩擦焊 9

1。5。5扩散焊 9

1。5。6 CMT焊 9

1。6 本课题主要研究内容 11

第二章 试验材料、设备及工作原理 13

2。1  试验材料 13

2。2  试验设备及工作原理 13

第三章 实验分析 18

3。1 对试样拉伸试验的分析 18

3。2、CMT焊接的焊缝的形貌的分析 19

3。3、焊缝气孔的分析 27

3。3。1采用Matlab分析气孔率的方法 28

3。4、焊接参数对焊缝硬度的影响 30

3。5、本章小结 33

第四章 结论 34

致 谢 35

参考文献 36

第一章 绪论

1。1背景

随着时代的发展,现代电子信息技术对于我们来说越来越重要,对于电子信息技术的发展也越来越快,电子行业的方向是向大规模电路集成化、器件小型化、芯片高效率和仪器高可靠性的方向去发展。从半导体的发展,包括晶圆的制造等也不在遵循摩尔定律,将微电子中的线路做到更小显得更加困难,这使得电子行业的专家们开始着手于在封装上找到突破口,以满足目前我们对于便捷、高效电子芯片的要求。

电子封装的发展一方面需完善封装的工艺,另一方面电子封装材料也是发展的必要条件。这些材料不仅要求有很好的传导热量的功能、传递信号的功能、连接电路的功能、保护器件的功能、密封的功能、性能稳定的功能、机械支撑的功能等这些对芯片中的电路的性能及可靠性有非常重要的影响。现如今由于器件越做越小,封装形式也越来越趋于系统级封装,对于整个系统来说处理的数据也越来越多,电路越来越复杂,器件的发热量大便成了很关键的问题。发热过大且没有及时散发出去很容易导致器件的失效乃至整个仪器的故障,其中单个元器件发生的失效的概率和这个器件所处环境工作温度成指数的关系,功能则成反比的关系,这使得在电子封装中散热的效率显得尤为重要。所以对于适合电子封装用的材料的开发是有十分迫切的需要的。在这方面的研究中,高硅铝合金材料不仅拥有这非常适合于电子封装的一些物理性能,并且硅、铝的在地球上面非常多,同时这种材料在回收时也较方便,且成本较低,也不存在污染的性质,这对于推动高硅铝合金的发展有着天然的优势。 

高硅铝合金之所以能作为电子电子封装材料原因在于拥有如下几点特点:合金组织均匀、性能优良、其具有较低的热膨胀系数,能和半导体电子原器件和芯片等完美匹配,防止在热交替过程中热胀冷缩的不一致影响电子器件的工作[1]。密度也较小,其轻质的属性不论是在电子产品例如手机等的封装和航天航空电子领域都有着非常合适的属性。 工艺参数对高硅铝合金CMT组织与性能的影响(2):http://www.youerw.com/cailiao/lunwen_106246.html

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