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放电等离子烧结制备高热导氮化硅陶瓷(2)

时间:2021-08-19 21:09来源:毕业论文
2.3.1 试样制备 10 3 实验结果讨论与分析 12 3.1性能表征 12 3.2 结论与分析 16 3.2.1 温度以及草酸对氮化硅陶瓷致密化的影响 16 3.2.2 温度及草酸对氮化硅陶瓷形

2.3.1 试样制备 10

3 实验结果讨论与分析 12

3.1性能表征 12

3.2 结论与分析 16

3.2.1 温度以及草酸对氮化硅陶瓷致密化的影响 16

3.2.2 温度及草酸对氮化硅陶瓷形貌的影响 17

3.2.3 温度及草酸对氮化硅陶瓷热导率的影响 17

3.2.4 温度及草酸对氮化硅陶瓷抗弯强度的影响 19

3.2.5 温度以及草酸对氮化硅陶瓷硬度及韧性的影响 20

4 结论与展望 22

致谢 23

参考文献 24

1 绪论

1.1 Si3N4简介

1.1.1 Si3N4的结构及性能

Si3N4是一种新型的高温构造陶瓷材料,具备很好的化学性能,同时具有抗热震性好,高温蠕变小的特点,对于多种有色金属融体不润湿,硬度高,具备自润滑性,已普遍应用到切削刀具、冶金、航空、化工这些行业当中。论文网

Si3N4是主要由共价键组成的化合物,键强,键的方向性强,构造中形成缺陷和迁移所需的能量很大,也就是缺陷扩散系数低(缺点),很难烧结,这当价键Si-N的成分为70 %,离子键为30 %,与此同时因为Si3N4本身构造致密度不够,从而需要添加少量氧化物烧结助剂才能提高性能,通过液相烧结使其致密化。

Si3N4拥有α、β和γ三种晶体结构。两种常见晶型都是六方晶系,并且能够在常温常压条件下被制备。构成的三维空间网络均是由[SiN4]4-四面体共用顶角构成的。

β相在高温状态下,热力学上更稳定,因此α相会产生相变,变为β相。从而Si3N4粉因高α相含量,烧结时可以获得细晶、长柱状β-Si3N4晶粒,增强材料的断裂韧性。但烧结陶瓷时需要控制颗粒生长得异常,使得材料出现气孔、裂纹、位错缺陷,成为材料的断裂源。

Si3N4陶瓷材料在工业性能上体现出了良好的工艺性能。(1)机械强度高,和刚玉的硬度相近,有自润滑性,很耐磨;(2)热膨胀系数小,热稳定性高,导热性能良好;(3)化学性能稳定,能够承受强烈的辐射照射等等。

晶体的常见参数如下图所示:

 氮化硅晶格常数及密度

    

表 2 氮化硅的基本性质

α相和β相如下图所示: 

 α相结构 β相结构

晶体价键短,电子中能成键的多,原子键排列的方向性强。并且Si3N4的原子间作用力强。Si3N4有两种用不同的堆砌方式堆砌[Si-N4]四面体结构形成的三维网络晶形,一种是α-Si3N4,另一种是β-Si3N4。Si3N4晶体的硬度非常高,这是因为晶体中有着[Si-N4]四面体结构单元。一个存在着6个硅原子、8个氮原子的β-Si3N4的晶胞内,分为两个平面,其中一个平面上分布着3个硅原子和4个氮原子,比这个平面更高的平面上分布着剩余一半,接着第三层对应第一层,即排列方式为ABAB,分布在C轴上。β-Si3N4晶胞的参数为,a=0.7606 nm,c=0.2909 nm。与之不同的是,α-Si3N4中原子在两个平面上第三层与第一层错开一个位置,第四层与第二层错开一个位置,即排列方式为ABCD。α-Si3N4晶胞参数相对β- Si3N4 而言变化不大,但是在C 轴方向大概扩大一倍(a=0.775nm,c=0.5618nm),体系的稳定性由于其中还含有3%的氧原子以及许多硅空位所以较差,因此四面体晶形在α相结构内发生了变异,在热力学上来说,β相更稳定一些。α 相中的[Si-N4]四面体由于氧原子在α相中形成Si-O-Si离子性较强的的键容易形成取向的改变和链的伸直,原子的位置发生变化,使得α 相在温度到达1300 ℃以上时转化为β相,使其它的结构稳定。 放电等离子烧结制备高热导氮化硅陶瓷(2):http://www.youerw.com/cailiao/lunwen_80671.html

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