（3）发光-Schottky屏障探测器：金属和半导体，一般的是PTSI /硅结构形成肖特奇屏障，由硅化铂 Si层吸收的红外光子，电子获得额外能量从而跃迁上费米能级，剩下一个孔在阻挡进入硅衬底，电子硅化铂层收集，形成完整的红外探测。良好地运用硅集成技术来促进生产，花费低，有均匀性好等优点，从而能制成（1024×1024或更大）红外焦平面阵列，来弥补大型量子效率低的缺陷。但对低温有严格的要求。有了这样的探测器，在海内外已产生了具有优良的图像质量的热成像仪。思铂/ Si结构焦平面是最早的红外焦平面阵列。
（4）量子阱探测器（QWIP）：两个不同半导体材料A和B通过人工手段交替形成一薄层超晶格生长，在交面处，向其中一个突变。电子和空穴的低势能，能量量化，叫做量子阱，阱一层内密闭。利用量子阱的红外探测器的电子跃迁水平的原则可以做到的。自90年以来迅速的发展，已经有取得相应的热像仪512×512, 640×480大小的量子阱的GaAs/AlGaAs构成焦平面产生了。由于入射辐射是只在超晶格表面的竖直方向生长工作，使用低光子的偏振指向；量子阱通过电子掺杂浓度极限的基本能态时，量子效率较低；光谱响应率低。人们试图深入改善研究，并预计会以HgCdTe探测器为主。
2.1.3  新技术的快速发展，推动红外检测器的升级换代
60余年前作为一个扫描成像的探测器单位，然而敏感性较低，平面扫描系统结构比较复杂，体积庞大。增多检测元件，比如N个元素探测器的组合物，其灵敏感知度增加N1 / 2次，M×N的阵列，增强的（M×N）1/2倍的灵敏度。在光机扫描机构的数目美元增加将简化大面积凝视FPA，省去了扫描光机，从而极大地精简了整个系统。当代检测技术引入第二代和第三代，一个主要标志是，元数据极大增加。第二方面是覆盖两个之上的频带的同时的颜色和众光谱检测器的发展。全部的进步都来自新技术，尤其是开发的半导体技术的发展密不可分。几个标志式的技术包括：
（1）半导体检测器技术，精密的光刻技术使电池阵列检测器，它后来被称为首代检测器多行的快速进展。
（2）硅读出集成电路技术与感光区域阵列耦合，即所谓的次代大规模红外FPA检测器的产生。此外，还有新品种Z平面与智能的智能检测器。这项技术也引起非制冷红外FPA，让被忽视的热检测器重现活力。
（3）分子束外延，金属有机化学气相沉积与液相外延技术的先进薄材料生长技术可复制，大面积的均匀性高的材料的生长的精确控制，使大规模制备红外焦平面可能。也出现在量子阱检测器的前面。
（4）高性能微型制冷技术需求所驱使的迷你冰箱低温检测器的发展，降温技术，推动检测器的开发和利用。
我们的红外检测器研制自1958年来，已经有40多年的历史。已经发展了硫化铅，硒化铅，镉化金，镉化汞，锑化铟，PbSnTe，碲镉汞，PtSi /硅，砷化镓/ AlGaAs多量子阱与热释电检器。当低文材料，纳米电子学，科技进步光电一体化的出现，在新世纪颠覆性的进步必须是一个红外检测器。物理科学和材料技术是当代技术，当代科技进展的重要依据，物理研究的快速发展产生强大的反应。
2.1.4  高性能的红外探测器 - 碲镉汞探测器
1959年，劳森和其他英格兰学家取得了第一个变量Hg1-xCdxTe固溶体合金，为红外检测器的设计开创了前所未有的自由度。MCT有三大好处：
1）本征激励，较好的吸收系数和超高的量子效率（其可以是80％以上）及高检出率；2）它最振奋人的特点是汞，镉比例调配的响应频带，方便在每个红外区运行，并获得优良性能的变化。和晶格系数几乎不变，禁止用于与一个异质结的新设备的复合结构的制作尤其要紧的；3）相同的反应带，更高的操作温度，可以在大温度范围内运行。 VHDL红外探测器驱动电路设计+文献综述(3):http://www.youerw.com/tongxin/lunwen_24139.html