碲镉汞，弱汞-碲键（镉-碲键大于约30％弱），P或N型能利用热处理或指定路线来形成，同时进行转换。它们的电性能，例如小的载流子浓度，2-少数载流子寿命长，三个电子空穴的有效质量比（10.0），快电子迁移率，介电常数小，这有助于4检测器的性能。
首代HgCdTe检测器主要是光电多种化美国使用的60，120和180元光检测器热成像仪，英国则以SPRIET于70年代中期开发了一个多用器件。SPRITE是在一个三电极运用半导体非平衡载流子扫出的光导器件，当光点扫描速度和载波漂移速度双极配对，该时间检测器，同时实现完整的放射线检测信号推迟积分能力的效果。8个SPRIET性能可以超过多个100美元的传感器。结构，制造和后来电子极大精简。当代技术还战胜了高光机扫描速度及空间分辨率受限制两种缺点。
1992年产生的第一个国内采用优良性能热成像仪，SPRIET检测器是成功的重要发展。到了20世纪90年代初，首代HgCdTe光电检器已经通过技术评估，性能已到达全球领先水准。
军事工业211 spirte，32和60元探头具有现实且开始大规模生产，产量和市场扩大。在上世纪80年代，曾在大量出过国。因为困难首代HgCdTe检测器元数据电极设计和冰箱杜瓦方面通常不能HgCdTe和Si读出集成电路的200多个大光敏阵列分开制备和优化，并且双方是电耦合及机械耦合在一混合式FPA是次代HgCdTe检测器。当今各国社会已经制定了256×256或640×480大小的长波段红外焦平面阵列。中波被用于1024×1024天文规模，在这个时期是法国4N系列288×4扫描焦平面阵列的特型产物。中国仍处于研发阶段。晶体HgCdTe材料还具有明显的弱点：
1）相图液相线及实线分隔宽，分隔所造成的放射状，不均匀竖直分量；
2）高压汞使直径难以增长的晶格的结构完好性低；
3）重复生产成品率低。薄膜材料，该材料很难得到完美的CdZnTe衬底原料。人们正在替代基材，如PACE（可生产替代碲化镉的外延）（碲镉汞/碲化镉/ GEM），PACE-II（碲镉汞/ C DTE /砷化镓）和PACE-III（碲镉汞/碲化镉/ SI）。日本与法国也报告锗衬底，是为了晶格和MCT配对和促进加上硅输出电路。HgCdTe质量难以控制，均匀性不好，设备工艺独特，产量小，从而高成本成了一直是HgCdTe红外焦平面阵列主要困扰。各国从来没有停止探索，找到的材料，可到目前为止未发现有一种新材料可以比HgCdTe的基本优势更多。为了达到军事领域更高的应用性能指标，HgCdTE焦平面检测器仍是首选。
2.1.5  非制冷焦平面阵列（UFPA）
非致冷FPA省去了高成本及繁琐的低温制冷系统扫描装置葛，热检测器基于设备的灵敏度。热成像仪开创了传统廉价的先例，“传感器的变化发生在外部。”此外，这也极大提高了稳定性，容易护理，工作寿命得到增加，由于低温制冷系统和繁琐的扫描设备处置往往是红外系统故障的来源。未冷却的检测器灵敏度（D）的比低的HgCdTe一个数量级较小，但具有大FPA来弥补，与首代的MCT检测器的可霸。对于很多应用，尤其是在适当的监视和夜视条件很有效。广大的准军事领域和民用市场是小跑领域。为了防止巨大投资，引进低成本的Si集成电路技术，研发和生产的非致冷红外探测器，建造大型，高密度阵列及推进系统集成的信号处理，即大型FPA技术，有庞大的潜力。正因为这样，较弱的机组性能热释电检测器再次吸人眼球，并且将是在当今世纪检测器中最具竞争力的企业之一。目前增长速度最快，并承诺有两种类型的非制冷焦平面：
（1）热电FPA。研发热释电检测器早在20世纪60及70年代是很流行的，也有各种各样的材料，新的钛酸锶钡（BST）陶瓷与钪钛酸铅（PST）等等。美国德州仪器公司推出328×240钛酸锶钡焦平面阵列已形成的产物，噪声等效温差优于0.1K，含各种各样的应用。规划还有焦平面阵列，640×480的发展方向是沉积在硅晶片制出单片热释电焦平面上的铁电材料膜，良好性能的潜力，预计可完成1000×1000阵列中的高质量成像。 VHDL红外探测器驱动电路设计+文献综述(4):http://www.youerw.com/tongxin/lunwen_24139.html