（2）微测辐射热计。它是通过对IC-CMOS技术来沉积硅，氮化硅是由一个热敏电阻或α-硅材料Vox的好的电阻温度系数和高电阻率，微型桥制成结构组件（单片焦平面阵列）的支持。检测热辐射引起的热能改变的电阻，直流耦合无需粉碎机，只是一个热电冷却器来文持其恒定的工作的温度。90年代初，最早由霍尼韦尔公司研发，在研发要为8um〜14um运行的320×240非制冷FPA范围，从而做出了有益的热成像系统，宁波开发区已经进入了0.1K以内，预计在不久的将来到达0.02K。这样FPA90年代发展神速，成为热点。同热释电非制冷焦平面相比，利用Si集成技术，制造低造价的微光测辐射热计；良好的线性响应率与大动态范围；像素和弱串扰与图像模糊之间良好的绝缘性；低1 / f噪声；和高帧率与潜在的高灵敏度（噪声等效温差理论能够达0.01K）。与热释电相比，部分处置其功率功耗和高噪声带宽限制是不够的。 VHDL红外探测器驱动电路设计+文献综述(5):http://www.youerw.com/tongxin/lunwen_24139.html