(1)第一阶段：小岛阶段—成核和核长大。溅射原子到达基片表面时，由于原子间相互碰撞造成能量损失，动能降低，会被基片表面原子吸附。当吸附原子数目逐渐增多时，原子之间距离变小，会发生聚集。如图2。1所示，根据薄膜成核理论，此时基片表面会产生数目较多的岛状晶核，并不断长大。由于原子的吸附和再蒸发同时存在，小岛、晶核的位置会发生改变，随着不断沉积，二者数目逐渐增多。

(2)第二阶段：结合阶段。由于原子的不断沉积，小岛不断长大，相邻岛之间的距离也慢慢变小，最终相互接触，融合成为一个大岛。这个过程就是小岛的联并过程。如图2，1所示，联并过程小岛的变化。小岛联并的过程中，小岛的数目会减少，占据基片的面积缩小，空白面积增多更有利于新岛的产生。另一方面，小岛联并过程设计了原子团在基片表面的迁移。所以基片温度很大地影响了小岛的联并。

图2。2 薄膜生长后期阶段：大岛联合形成沟道薄膜，沟道被填充慢慢变为孔洞，最终孔洞消失成为平整连续模。

(3)第三阶段：沟道阶段。随着小岛的联并，新岛的产生，大岛开始团聚而形成网状的结构。此时，基片表面逐渐成为分布着大量沟道的沟道薄膜。随着进一步的生长，沟道处又会产生成核，通过桥联效应，使得沟道变窄、变浅，最终逐渐只剩一些孔洞。如图2。2所示。

(4)第四阶段：连续薄膜。沟道和孔洞逐渐消除后，再沉积的原子就可以直接吸附在薄膜上，使薄膜生长，变厚。在此阶段，薄膜上小岛的晶格取向会发生明显的变化。多晶薄膜的制备中，小岛联并时还产生一些再结晶过程。薄膜的晶粒的半径大小取决于薄膜生长过程中的再结晶过程。

2。2  脉冲激光沉积文献综述

脉冲激光沉积（PLD）技术属于物理气相沉积技术，是一种新型的薄膜制备工艺。其大概工作原理是：利用高能的脉冲激光照射靶材表面，靶材原子吸收能量气化产生等离子气体。在外加电场作用下，定向运动至基片表面沉积，生长为薄膜。

自脉冲激光沉积技术发展至今，其已经在各类薄膜制备中得到广泛应用。脉冲激光沉积技术具有下列优势[17。18]：

(1)由于脉冲激光沉积是利用激光使靶材气化，所以未引入其它杂质。所以制备出的薄膜组成成分基本上由所使用的靶材成分所控制。所以通过控制靶材组分就能制备出任意所需组分比的薄膜。这极大的扩展的脉冲激光沉积制备薄膜的范围。

(2)利用脉冲激光沉积沉积系统的结构特征，可以在制膜过程中，加入多个不同靶材。这样只需更换靶材，就能按顺序在基片上制备多层不同组分的薄膜。