锡须生长的位错机制在1953年由Eshelby J D[17]最先提出，他假设镀层表面氧化形成小突起，并产生负的张力，同时由于氧化作用在突起底部产生位错，位错在张力作用下滑移至镀层表面，其半原子面的原子就成为锡须的一部分。而这种张力将导致锡须的生长。随后Frank K C[18]也提出类似的生长机制，但他认为在镀层下方存在被螺位错钉扎的刃位错，使刃位错绕着螺位错运动形成“螺旋棱柱位错”，在刃位错表面持续形成的半原子面上升到镀层表面而形成锡须。此后也研究者[19-20]也在此基础上提出了相关的锡须生长机制。