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实验条件：扫描速度：50mV/s 扫描圈数：2 扫描方向：负向 窗口：-0.5-0.4V
图4.15为空白聚碳酸酯膜修饰在玻碳电极上的CV图，图4.16为复合介孔膜修饰于玻碳电极上的CV图。从图中可以看出，在实验窗口内这两种化学修饰电极均无氧化还原峰产生。
图4.17 吸附2,9,16,23-四羧基钴酞菁的复合介孔膜修饰电极在PBS中的CV图(vs. Ag/AgCl)
实验条件：扫描速度：50mV/s 扫描圈数：2 扫描方向：负向 窗口：-2.0-2.0V
图4.17为吸附2,9,16,23-四羧基钴酞菁的复合介孔膜修饰电极在PBS中的CV图。从图中可以看出，在实验窗口内，化学修饰电极出现了氧化还原峰。在1.0V附近有较弱的氧化峰，在-0.5附近有明显的还原峰。
图4.18 吸附酞菁的复合介孔膜修饰电极在PBS中的扫速实验(vs. Ag/AgCl)
（a）酞菁溶液振荡后的空白介孔膜修饰电极，（b）酞菁溶液振荡后的复合介孔膜修饰电极，（c）电极表面滴一滴酞菁溶液的修饰电极
实验条件：扫描速度：50、100、150、200、250、300mV/s
扫描圈数：6，各取第3、4圈 扫描方向：负向 窗口：-1.6-1.6V
图4.16(a)为2,9,16,23-四羧基钴酞菁吸附于空白膜上修饰电极在PBS中的CV图，图4.16(b)为2,9,16,23-四羧基钴酞菁吸附于复合介孔膜上修饰电极在PBS中的CV图，图4.16(c)为玻碳电极表面直接滴加2,9,16,23-四羧基钴酞菁溶液的修饰电极在PBS中的CV图。图4.16 (a) (b) (c)中都出现了氧化还原峰。氧化峰在1.0V附近，还原峰在-0.5附近。比较(a) (b) (c)图可以看出，氧化还原峰电位较相近，可以进一步说明：2,9,16,23-四羧基钴酞菁这一配合物的化学性质十分稳定，无论是吸附在空白膜、复合膜上还是直接滴加在电极表面，基本不影响其电化学性质。
同时，从图(a) (b) (c)中还可以看出：随着扫速的增大，氧化峰和还原峰越来越明显，但其氧化峰与还原峰电位并不发生移动。
图4.17吸附酞菁的复合介孔膜修饰电极还原峰与扫速关系实验(vs. Ag/AgCl)
（a）酞菁溶液振荡后的空白介孔膜修饰电极，（b）酞菁溶液振荡后的复合介孔膜修饰电极，（c）电极表面滴一滴酞菁溶液的修饰电极
实验条件：扫描速度：50、100、150、200、250、300mV/s
扫描圈数：6，各取第3、4圈 扫描方向：负向 窗口：-1.6-1.6V
拟合方程：(a)Y=6.15767+0.06615X (b) Y=5.4728+0.07487X (c)Y=6.0374+0.04983X
图4.16(a)为2,9,16,23-四羧基钴酞菁吸附于空白膜上修饰电极在PBS中还原峰电流对扫速的线性拟合图，图4.16(b)为2,9,16,23-四羧基钴酞菁吸附于复合介孔膜上修饰电极在PBS中还原峰电流对扫速的线性拟合图，图4.16(c)为玻碳电极表面直接滴加2,9,16,23-四羧基钴酞菁溶液的修饰电极在PBS中还原峰电流对扫速的线性拟合图。由图可以得出：随着扫速的增大，还原峰电流也随之呈线性增长。实验结果表明：此电极反应是一个表面控制的快速电子转移过程[25]。
（3） 在硫酸溶液（PH=6）中的表征
碱性条件在pH值为9-12的范围内，CoTcPc/CG对氧的还原有催化活性；酸性条件下, CoTCPc/CG仅在pH值为6时有催化活性。但是实验所用的聚碳酸酯PC膜在碱性条件下会影响PC膜的结构，因此只能选择pH=6的硫酸溶液在进行电催化实验。
图4.18 酞菁溶液振荡后的复合介孔膜修饰电极在硫酸溶液中的CV图(vs. Ag/AgCl)
实验条件：扫描速度：100V/s 扫描圈数：8，取第3、4圈 扫描方向：负向 窗口：-1.6-1.6V
图4.21为酞菁溶液震荡后的复合介孔膜修饰电极在硫酸(pH=6)溶液中的CV图。在氮气饱和的溶液中没有明显的氧化还原峰，在氧气饱和的溶液中在-0.6V左右出现一个不可逆的还原峰，是由于O2被还原成超氧离子HO2-产生。
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