1。2 电迁移的研究现状及影响因素 2

1。2。1 电迁移的简介 2

1。2。2 电迁移的影响因素 3

1。3  液相外延的研究现状 3

1。3。1  液相外延简介 3

1。3。2 液相外延技术研究进展 5

1。4  电流液相外延 7

1。5  研究内容 7

第二章 试验材料、设备与方法 8

2。1  实验材料的制备 8

2。1。1  实验材料的制作过程 8

2。1。2  实验材料制备原理 9

2。2  时效处理 11

2。2。1  实验步骤 11

2。2。2  实验设计原理 12

2。3  电外延实验 12

2。3。1  实验步骤 12

2。3。2  实验设计原理 13

2。4 试样检测设备 14

2。4。1 表面形态的观察 14

2。4。2 元素种类与含量的观察 15

2。4。3  组织形貌的观察 16

第三章 实验结果与分析 17

3。1  焊缝组织形貌 17

3。2  时效处理焊缝中化合物生长 17

3。2。1 时效 15min 时化合物生长 17

3。2。2 时效 30min、60min、120min 后的界面化合物生长 18

3。3 时效处理的结果分析 20

3。4 电流液相外延下化合物生长 21

3。4。1 200℃的电流液相外延化合物生长 21

3。4。2 300℃的电流液相外延化合物生长 22

3。4。3 400℃的电流液相外延化合物生长 23

3。4。4 500℃的电流液相外延化合物生长 24

3。5 电流液相外延的结果分析 25

结 论 27

致 谢 28

参考文献 29

第一章 绪论

1。1 引言

目前，研究人员对液相外延的研究已经很透彻了，而且技术也有了很大的提高， 但是在某些方面，它仍然存在不足之处。如今，它仍然不能精确的控制外延层化合物 的生长。而这些问题依旧困扰着研究人员，所以他们又致力新提出的电外延工艺。

我们所说的电外延技术就是指一种新的晶体生长技术。它就是给试样通电，然后 直流电流会流过金属和晶体，这就是珀尔帖效应产生的原理。而珀尔帖效应的作用就 是引起和维持液相外延技术[1]。

电外延的整个发展历程是一个漫长的过程，从 1973 年开始，就有人提出这个理 论，这些人就是麻省理工学院的 M。Kumagawa 等研究人员，他们对于电外延技术产 生的珀尔帖效应进行了分析，最后猜测，当它出现制冷效应时，就能够实现外延生长。 因此随着这个假设的提出，菲利浦研究所的 J·J·Daniele 等人在此研究基础上做了一 系列的实验研究，其中最成功的就是用珀尔帖效应研究成功了在室温下连续工作的 GaAs / AIGaAs 双异质结激光器，这也是到 1977 年第一次制成的，同年他们也对此 研究成果进行了报导。当然此次研究的激光器已经达到了质的飞跃，它的工作时间已 经能达到 780 小时，这大大提高了使用率。同样得到提高的不只是使用时间，它的性 能也有了很大的提高，能达到液相外延生长的效果[2]。在这一重大研究成果出现以后， 电外延技术就得到了国内外各地的研究人员的重视，伴随着各种外延层的成功制备， 电外延技术正式进入人们的生活[3]。