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摘要:本文通过在KOH水溶液中添加消泡剂（如乙醇，异丙醇，异戊醇），添加表面活性剂（如二烷基磺酸钠、聚乙二醇400、三聚磷酸钠，甲基纤文素），添加有机酸（如硼酸、丁二酸、磺酸、丙烯酸、酒石酸），配制成单晶硅表面织构化的制绒液，在一定的温度和时间下，对预先处理的单晶硅片进行制绒。探讨各添加剂种类和添加量对表面织构化的影响，并对金字塔绒面微观形貌对反射率的影响做分析。通过研究，用质量分数为1.5%KOH水溶液，7%乙醇、0.5%聚乙二醇400、3%ppm硼酸作为添加剂配置混合溶液，用预先在75℃乙醇处理30min的单晶硅片，再在80℃制绒液中腐蚀1h，单晶硅片可获得反射率为7.18%的减反射绒面。23271
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毕业论文关键词：单晶硅，制绒液，添加剂，反射率
SURFACE TEXTURIZATION OF MONOCRYSTALLINE SILICON WAFER FOR SOLAR CELLS
ABSTRACT:Paper by adding a defoaming agent ( e.g., ethanol, isopropanol, isoamyl alcohol ) , surface active agents (e.g., sodium dodecyl sulfate , polyethylene glycol 400 , sodium tripolyphosphate in a KOH aqueous solution, methyl cellulose Su ) , organic acid ( such as boric acid , succinic acid , sulfonic acid, acrylic acid, tartaric acid ) to prepare a monocrystalline surface textured textured fluid at a certain temperature and time for the silicon chip texturing . Discussion texturing system and additives on the surface texture of the impact mechanism and influence of the pyramid suede morphology and reflectivity were analyzed Through research, with a mass fraction of 1.5% KOH, 3% ethanol corrosion system , 0.5% polyethylene glycol 400,5 % mixed solution of boric acid as an additive , and a silicon wafer pretreated 30min at 70 ℃ ,80 ℃ ethanol etching solution corrosion 1h, monocrystalline silicon antireflective get 7.18% suede .
Keywords : silicon, corrosion system , suede , reflectivity
目录
1、绪论 4
1.1 太阳能电池发展趋势 4
1.2 单晶硅制绒综述 5
1.3 单晶体硅的制绒方法 6
1.4 晶体硅太阳电池的光学损失 8
1.5 研究目的与意义 9
2、 实验 10
2.1实验仪器与实验试剂 10
2.1.1实验仪器 10
2.1.2实验试剂 10
2.2影响单晶硅织构化的添加剂 11
2.2.1影响单晶硅制绒酸添加剂 11
2.2.2影响单晶硅制绒表面活性剂添加剂 11
2.2.3影响单晶硅制绒醇类添加剂 11
2.3测试 12
2.3.1 反射率测试 12
2.3.2 SEM测试 12
3、结果与分析 13
3.1酸对单晶硅织构化的影响 13
3.1.1酸类对单晶硅表面形貌的影响 13
3.1.2酸类对单晶硅表面反射率的影响 14
3.2表面活性剂对单晶硅织构化的影响 16
3.2.1表面活性剂对单晶硅表面形貌的影响 16
3.2.2不同表面活性剂对单晶硅反射率的影响 17
3.3醇类对单晶硅织构化的影响 18
3.3.1醇对单晶硅表面形貌的影响 18
3.3.2醇对单晶硅反射率的影响 19
3.4 硅片织构化程度对反射率影响 20
4、研究结论 20
致谢 21
参考文献 23
1、绪论
能源是人类社会发展的基础，随着传统能源供应日益紧张，能源危机不断加剧，使得人们不断探求新的清洁能源。光伏发电是太阳能利用中的重要组成部分，作为新能源的一个分支，一种用之不竭的可再生绿色能源，受到越来越多的关注。过去的十年，世界光伏市场的年平均增长率超过 30。预计 2010 年到 2050 年光伏发电的增长速率都在 30-40%左右。而近些年来，我国的光伏产业的发展速度更是惊人，产量已经稳居全球第一。目前，晶体硅(包括单晶硅、多晶硅和带硅等)太阳电池占光伏产业市场份额的 90%以上，处于绝对的统治地位。预测显示，在 2020 年前，晶硅太阳电池的统治地位难以撼动。由于产业迅速发展，原材料供应紧张，晶体硅太阳电池生产成本的很大一部分源自于原料硅，不断减薄硅片厚度成为降低电池生产成本的最有效的手段。在硅片变薄的同时，对光吸收和钝化的要求非常严格，特别是钝化效果较好时，光吸收成为一个极为关键的效率保证因素。因此，需要在硅片变薄时，最大限度地增加硅基体对光线的吸收来保证高效率[1]。