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合成损耗L(dB) 0.000 0.004 0.014 0.032 0.057 0.088 0.125
由于在实际的功率合成电路设计中，一般输出的幅度离散都会控制在1dB以内，从上表中可以看出，当相位一致时，幅度离散在1dB以内，其对合成效率的影响非常小。
（2）幅度一致，相位存在离散
当 = 时,式(2-14)就化简为：
此时，对应的合成效率为：当 = 时，合成效率最大，
当 - =180度时，合成效率最小，为0。
这里也列举出了一些典型的相位离散对合成效率的影响，如表 2-2 所示，表中的 = -
从表 2-2 可以看出，当幅度一致时，合成效率受相位离散的影响比较大，在实际的功率合成电路中，由于功率合成放大芯片大多采用多管芯合成，这种合成一般引入的相位离散常常在十几度到几十度之间。由此可见，相位离散对合成效率的影响要尤其引起注意。
表 2-2 相位离散对合成效率的影响
相位离散 （度）
0 5 10 15 20 25 30
合成效率η(%) 100.00 99.810 99.240 98.296 96.985 95.315 93.301
合成损耗L(dB) 0.000 0.008 0.033 0.075 0.133 0.208 0.301
（3）幅度、相位均存在离散
当幅度和相位均有离散存在时，式(2-14)变为：
相应的合成效率为：
同样，表2-3列举出了一些典型的数据，其中 ， = -
从表中可以看出，在幅度与相位均存在偏差的情况下，当幅度的偏差在 1dB范围以内时，其合成效率主要受相位离散的影响。相位离散越大，合成效率下降的越快，由此可见在设计功率合成放大电路时，在保证幅度偏差不大的情况下应尽可能的去减小相位上的偏差。
表2-3 幅度、相位均离散对合成效率的影响
Δ P（dB） 0.0 0.5 1.0 （度）
η(%) L(dB) η(%) L (dB) η(%) L (dB)
0 100.00 0.000 99.917 0.004 99.670 0.014
5 99.810 0.008 99.727 0.012 99.418 0.023
10 99.240 0.033 99.159 0.037 98.916 0.047
15 98.246 0.075 98.216 0.078 97.978 0.089
20 96.985 0.133 96.907 0.136 96.675 0.147
25 95.315 0.208 95.240 0.212 95.017 0.222
30 93.310 0.301 93.230 0.304 93.016 0.314
提高合成效率一直是功率合成技术研究的热点，影响合成效率的几个因素中，各路的幅度和相位不一致是影响合成效率最主要的因素之一。下面我们以两路功率合成为例，讨论幅度和相位不一致的情况下对合成效率的影响。
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