3。6 匹配电路设计 17

4 PCB 板的制作 23

4。1 原理图封装的绘制 23

4。2 原理图绘制 23

4。3 PCB 封装的绘制 24

4。4 PCB 图的绘制 24

4。5 PCB 板实物 25

5 装配与调试 26

5。1 PCB 板的焊接 26

5。2 壳体的装配 26

5。3 参数的测量与电路的改进 27

结论 32

致谢 34

参考文献 35

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1 引言

1。1 研究背景

GPS 是 Global Positioning System 的缩写,意思是全球定位系统，可以利用卫星导航进行 测时和测距。GPS 是近几十年来最有意义的开创性新技术之一，它完美地解决了人类在地球 上的导航和定位问题。经过几十余年的努力研究，GPS 得到更进一步的发展，并在诸多领域 中都得到了广泛的应用。无论是国家国防，还是社会基层设施，或者是家庭都在使用 GPS。 目前 GPS 的发展势头十分迅猛，它的应用大大提高了工作效率, 与此同时 GPS 接收机前端 的低噪声放大器(Low Noise Amplifier)的发展也越来越快，需求量也日益增加。

由于我们与欧美发达国家相比，起步比较晚，并且由于器件技术达不到要求，工艺受到 限制，国内的性能好的 GPS 低噪声放大器几乎都是靠进口，并且国外厂家在高精度的器件上 对我国进行了限制，因此对射频放大器加强研究工作，用先进的技术和工艺实现低成本，高 精度，高集成度的低噪声放大器对国内 GPS 的发展具有十分重要的现实意义。

在过去的几十年里，低噪声技术有了长远的发展。微波晶体管在上世纪四十年代开始出 现，它体积小，重量轻，很快得到了重视，并投入使用。从六十年代中期开始双极型晶体管 能够应用在微波射频频段，同时半导体材料和工艺的发展也十分迅速，加快了场效应管的更 新，从而场效应管也被用在微波射频频段。到了 80 年代，低噪声放大器的噪声性能已经很好， 但是由于体积和重量都比较大，功耗也比较大，所以应用不是很普遍。但随着后来分子束外 延和金属有机化合物化学汽相淀积等晶体生长技术的成功应用，以及电路匹配技术，器件工 艺技术的发展，人们开发出了许多新型的半导体器件，如：砷化钾场效应晶体管(GaAs FET)， 高电子迁移率晶体管(HEMT)和异质结双极晶体管(HBT)等。此类器件设计出来的低噪声放大 器性能更好，作为 GPS 接收机的前端大大提高了 GPS 定位测距的精确度。

随着微波、毫米波技术的发展，对接收机系统前端，特别是低噪声放大器，提出了更加 严格的要求。设计出性能更好，成本更低，集成度更高的低噪声放大器是 GPS 发展的需求。 1。2 低噪声放大器的简介