温度对SiC半导体材料载流子浓度的影响
毕业论文关键词：半导体；载流子浓度；温度
The Effect of Temperature on SiC Semiconductor Material Carrier Concentration
Abstract: The thesis mainly research that the influence of the carbora semiconductor to the concentration of the current carrier. At first, we briefly realize semiconductor and grasp the classification and peculiarities. We have mastered semiconductor, then we probe the peculiarities of nicalon semiconductor, we know that it can be made some substance which enjoy great rate of work, supernal frequency. The substances can monitor atomic pile and setting. Next, we change the dopants and the concentration of the current carrier, we can obtain the peroration that the impact of carbofrax semiconductor. At last, through the carbofrax with Mn and Co to analyze the bight of Hall and R-T. We know the resistivity hoist with the temperature rising, but the concentration of the current carrier is opposite to the resistivity.
Key words: Semiconductor; Current carrier; The temperature
目 录
摘要 1
引言 1
1.半导体 2
1.1半导体的定义 2
1.2半导体的分类及特性 2
2.SiC半导体 4
2.1SiC半导体的结构与特性 4
2.2SiC半导体研究现状 5
3.掺杂物及载流子对SiC半导体的影响 6
3.1掺杂物对SiC半导体的影响 6
3.2载流子对SiC半导体的影响 6
4.温度对SiC半导体材料载流子浓度的影响 7
4.1Mn、Co共掺杂SiC薄膜Hall分析 7
4.2Mn、Co共掺杂SiC薄膜R-T曲线分析 8
5.结论 9
参考文献 10
致谢 11
温度对SiC半导体材料载流子浓度的影响
引言
人类对半导体的认识和研究已经超过了一个世纪，半导体在人类社会文明发展中起到越来越重要的作用，我们的现实生活和半导体密切相关。通过人类进一步的发展，碳化硅有很大可能来做宽带隙半导体，正如人们所知，其物理性质与众不同、电子学特性更为奇特，所以在当今社会中的发展越来越壮大，同时人们通过碳化硅来制造具有高温、高频和抗辐射特点的器件的难易程度就会下降很多。近几年来，半导体材料大都是以Si为主，还有以一部分Ga、As为组成元素来合成半导体化合物。人们把SiC材料称为第三代半导体材料，正如我们每一个人所知道的，硅器件不容易在特别高的温度下运动。所以，在特别高的温度下和特别大的频率下，硅器件就不容易完成人们的需要。进而，在发展硅器件的同时人们一直努力探索硅材料。
1. 半导体
1.1 半导体的定义
通过导电性可以将物质分为三大类。导电性比较弱的物质有木头、塑料、陶瓷等，我们通常把这类物质称为绝缘体。而把金属称为导体，因为其导电性比较强。顾名思义，其他的物质统称之为半导体，其导电性比绝缘体强，但却比导体的导电性弱[1]。在绝缘体、半导体和导体这三大类物质中，相对绝缘体和导体发现的时间相比较，半导体的发现时间比较靠后。过了很长一段时间，大约到1930年，人们才纷纷认可半导体。
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